[发明专利]一种低辐射阳光控制镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种低辐射阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，本镀膜玻璃包括玻璃基片层(G)和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃基片层(G)向外依次复合有五个膜层，其中第一层(1)和第二层(2)为第一电介质组合层，第三层(3)为低辐射功能层，第四层(4)和第五层(5)为第二电介质组合层。

一种低辐射阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，所述第一层(1)为SiNx层，所述第二层(2)为NiCr层,所述第三层(3)NB层，所述第四层(4)为NiCr层，所述第五层(5)为SiNx层。

一种低辐射阳光控制镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，本方法包括如下步骤：

1)、磁控溅射镀膜层；

A、磁控溅射第一层(1)：

靶材数量：交流旋转靶3～4个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为20～100nm；

B、磁控溅射第二层(2)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为1～5nm；

C、磁控溅射第三层(3)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为铌(Nb)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～20nm；

D、磁控溅射第四层(4)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为1～5nm；

E、磁控溅射第五层(5)：

靶材数量：交流旋转靶4～6个；靶材配置为硅铝(SiAl)；

工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为20～100nm；

镀膜层总厚度控制在47-230nm之间，溅射室传动走速控制在4.0-5.0m/min。