[发明专利]一种晶圆干燥装置

说明书

本发明属于工业生产技术领域，具体涉及一种晶圆干燥装置。由FFU本体、排风系统、清洗花篮、排水底板和旋转平台组成，所述的排风系统由开设在FFU本体左右两侧面和底面上的排风口，以及设置在排风口上的风机组成；所述的排水底板设置在FFU本体底部，排水底板采用镂空设计；所述的清洗花篮底部卡设在旋转平台上。设备投资较小，能源消耗少，无有毒有害物质使用，安全无害，操作简便，可用于院校科研、企业研发，同时使用不受晶圆尺寸大小与产品厚度影响。

技术领域

本发明属于工业生产技术领域，具体涉及一种晶圆干燥装置。

背景技术

晶圆(Wafer)是随半导体、光学等领域高新技术的发展而出现的一种新产品。硅晶圆是常见半导体集成电路的主要材料，另有不同材料的玻璃晶圆(如石英玻璃晶圆、高硼硅玻璃晶圆等)可用于微机电元件(MEMS)、CMOS、CCD传感器、微波电路以及各类光学、激光器件的加工制造当中。在晶圆的使用和制备过程中，清洗以及清洗后的干燥都是不可缺少的环节。现有技术中，常见的晶圆干燥方法主要包括以下三种：

(1)气体吹干法：此方法需要洁净程度高的气体(如高纯氮气、氩气)对晶圆表面进行吹干，成本消耗大，气体制备、储存需要装置复杂，占用空间大。

(2)IPA干燥法：此方法需要使用高纯异丙酮，有毒性、易爆炸，高纯异丙醇储存、制备装置复杂，员工操作时需要做好多层防护。

(3)离心甩干法：此方法同样需要高纯气体(如高纯氮气、氩气)气氛，设备投资较高、对于尺寸较大、厚度较薄的晶圆甩干时容易破裂。

随着半导体日益向小型化、集成化的方向发展，晶圆的市场需求也向尺寸更大、厚度更薄的产品种类偏移。尺寸的增大和厚度的减少降低了晶圆强度，使得晶圆的干燥难度不断增加。对于大尺寸超薄晶圆的干燥，离心甩干法和气体吹干法都难以适用。

发明内容

本发明要解决的主要技术问题是大尺寸超薄石英玻璃晶圆的干燥问题，同时开发一种投资小、消耗少、节约、安全无污染的晶圆干燥装置。

本发明是通过如下技术方案来实现的：

一种晶圆干燥装置，由FFU本体、排风系统、清洗花篮、排水底板和旋转平台组成，其特征在于，所述的排风系统由开设在FFU本体左右两侧面和底面上的排风口，以及设置在排风口上的风机组成；所述的排水底板设置在FFU本体底部，排水底板采用镂空设计；所述的清洗花篮底部卡设在旋转平台上，清洗花篮上部穿过排水底板设置在FFU本体内部；旋转平台底部还设有防水振子；FFU本体内壁上还设有红外线加热灯、温度测量装置和气氛测量装置；FFU本体一侧开设有窗口。

所述的红外线加热灯为8-20组石英红外灯。

所述的清洗花篮底部设有卡扣和卡槽，所述的旋转平台上设有深槽，清洗花篮通过卡槽、卡扣和深槽设置在旋转平台上。

所述的旋转平台为镂空结构。

所述的窗口通过滑轨设置在设备本体上，窗口外设置有窗帘，所述的窗帘由具有隔温、隔热、隔光功能的材料制成。

所述的FFU本体上还设有控制器，所述的控制器用于设定并控制旋转平台的转速和振动频率、红外线加热灯的工作数量和风机的启停。

所述的旋转平台底部设有用于带动旋转平台转动的转动轴。

所述的窗口开设在红外线加热灯相对一侧的FFU本体上。

所述的FFU为风机过滤机组。

所述的气氛测量装置为粒子计数器。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

(1)设备投资较小，能源消耗少，无有毒有害物质使用，安全无害，操作简便，可用于院校科研、企业研发。