[发明专利]隔离电源芯片

说明书

本发明提供了一种隔离电源芯片，包括平面变压器，所述隔离电源芯片包括发射端和接收端，所述平面变压器包括位于发射端的原边线圈以及位于接收端的副边线圈所述平面变压器还包括设置于原边线圈和副边线圈之间的绝缘栅，所述原边线圈和副边线圈分别位于两个相互平行的平面上并呈多层绕组结构；所述平面变压器还包括屏蔽层，所述屏蔽层夹设于原边线圈和绝缘栅之间。原边线圈和副边线圈之间不存在直接的高频耦合通路，原边线圈的共模电压波动仅会在原边线圈与屏蔽层之间的寄生电容形成高频共模电流，而不会影响到副边线圈，进一步的可减少电磁辐射干扰。

技术领域

本发明涉及一种隔离电源芯片，特别是一种可以改善电磁辐射干扰的隔离电源芯片。

背景技术

隔离电源芯片通常体积相对较小，在隔离电源芯片中，通常包括发射端和接收端，发射端包括原边线圈，接收端包括副边线圈。原边线圈和原边的驱动器结构构成了一个高频的L-C谐振腔向副边线圈传送能量。副边线圈再接一个整流桥将收到的高频电流整流到隔离电源输出。

平面变压器通常无磁芯，原边线圈和副边线圈之间通过绝缘栅隔离，绝缘栅由绝缘介质构成。为了保证有足够的耦合系数，绝缘栅的厚度不能太厚，因此原边线圈和副边线圈之间存在着一定的寄生电容。由于平面变压器的原边线圈的共模电压的波动较大，频率很高，因此这种高频的共模电压波动会通过寄生电容在隔离电源域的两侧形成高频的电流路径。由于隔离电源域之间的电流返回路径较长，这种高频能量很容易以电磁辐射的方式辐射出去，从而恶化隔离电源的电磁辐射干扰性能。

因此，必须设计一种新的隔离电源芯片，以减少电磁辐射干扰。

发明内容

为解决上述问题之一，本发明提供了一种隔离电源芯片，包括平面变压器，所述隔离电源芯片包括发射端和接收端，所述平面变压器包括位于发射端的原边线圈以及位于接收端的副边线圈，所述平面变压器还包括设置于原边线圈和副边线圈之间的绝缘栅，所述原边线圈和副边线圈分别位于两个相互平行的平面上并呈多层绕组结构；其特征在于，所述平面变压器还包括屏蔽层，所述屏蔽层夹设于原边线圈和绝缘栅之间。

作为本发明的进一步改进，所述发射端包括电源端和接地端，所述原边线圈的两个自由端分别连接于电源端和接地端，所述屏蔽层与所述电源端或接地端连接。

作为本发明的进一步改进，所述发射端还包括连接于电源端和接地端之间的旁路电容。

作为本发明的进一步改进，所述屏蔽层平行于所述原边线圈及副边线圈设置。

作为本发明的进一步改进，所述屏蔽层的最外缘围设形成的范围至少覆盖了所述原边线圈及副边线圈。

作为本发明的进一步改进，所述屏蔽层包括连结部及自连结部沿周向排布且沿径向向外延伸的若干扇片；所述扇片包括自连结部向外延伸的两个侧边沿及连接于两个侧边沿之间的外边沿，相邻扇片的侧边沿之间相互间隔。

作为本发明的进一步改进，所述扇片的形状大小一致且均匀环绕于所述连结部设置。

作为本发明的进一步改进，若干所述扇片的外边沿呈弧形且均位于同一圆周上。

作为本发明的进一步改进，所述原边线圈、副边线圈均呈螺旋状且其起始点对应于所述屏蔽层的中心，所述侧边沿的延长线均穿过该中心。

作为本发明的进一步改进，屏蔽层和原边线圈之间的距离小于屏蔽层和副边线圈之间的距离。

与现有技术相比，所述平面变压器还包括屏蔽层，所述屏蔽层夹设于原边线圈和绝缘栅之间。原边线圈和副边线圈之间不存在直接的高频耦合通路，原边线圈的共模电压波动仅会在原边线圈与屏蔽层之间的寄生电容形成高频共模电流，而不会影响到副边线圈，进一步的可减少电磁辐射干扰。

附图说明

图1为本发明平面变压器的电路示意图；