[发明专利]成膜装置以及电子器件的制造方法

说明书

本发明提供能够生产率良好且简便地进行预溅射的成膜装置以及电子器件的制造方法。成膜装置(1)具备：将成膜对象物(6)及圆筒形的靶(2)配置于内部的腔室(10)；设置于靶(2)的内部，生成从靶(2)的外周面泄漏的磁场的磁场产生部件(3)；以及驱动靶(2)旋转的靶驱动部件(11)。成膜装置(1)具有能够移动地设置在磁场产生部件(3)与靶(2)的内周面之间的磁屏蔽构件(5)和驱动磁屏蔽构件(5)的屏蔽构件驱动部件(12)。

技术领域

本发明涉及成膜装置以及电子器件的制造方法。

背景技术

作为在基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物上形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法，广泛已知有溅射法。通过溅射法进行成膜的溅射装置具有在真空腔室内使由成膜材料构成的靶与成膜对象物相向地配置的结构。若对靶施加负的电压，则在靶的附近产生等离子体，利用电离的非活性气体元素对靶表面进行溅射，所放出的溅射粒子堆积在成膜对象物上而成膜。另外，还已知有在靶的背面(在圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁，利用产生的磁场提高阴极附近的电子密度地进行溅射的磁控溅射法。

在以往的这种成膜装置中，例如在更换靶之后或将腔室内形成为大气开放之后，或者在不连续进行成膜处理而靶不暴露于等离子体的期间长的情况下等，存在靶的表面氧化或变质的情况。这样，在靶的表面氧化或变质的情况下，或在靶表面附着有异物的情况下等，在对成膜对象物进行溅射之前，对成膜对象物以外进行溅射，并进行使靶的表面清洁的预溅射(专利文献1)。

作为一边使靶旋转一边进行溅射的回转阴极(RC；也称为旋转阴极、转动体阴极)中的预溅射，例如有专利文献2所记载的方法。

在专利文献2所记载的溅射装置中，通过使设置于RC的内部的磁铁(磁铁组件)旋转，能够取得如下的三个状态。

(1)等离子体朝向基板(成膜对象物)的相反侧的状态。

(2)等离子体朝向横向(与基板的成膜面水平的方向)的状态。

(3)等离子体朝向基板的状态。

即，通过在(1)的状态下产生等离子体而维持(1)或(2)的状态，能够不对基板进行溅射而进行预溅射。在预溅射完成后，只要使磁铁旋转而成为(3)的状态，则也能够不使基板、RC移动地从预溅射转移到主溅射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-204705号公报

专利文献2：日本特表2015-519477号公报

可是，在如专利文献2所记载的那样使磁铁旋转的方法中，在成膜对象物大型化而RC成为长尺寸的情况下，磁铁变重，难以使其旋转。

作为其它的方法，也考虑使RC整体移动至用于预溅射的位置而进行预溅射的方法，但移动距离变长，生产率降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够生产率良好且简便地进行预溅射的成膜装置以及电子器件的制造方法。

用于解决课题的技术方案

作为本发明的一个技术方案的成膜装置，具备：腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及靶驱动部件，驱动上述靶旋转，其特征在于，该成膜装置具备：磁屏蔽构件，能够移动地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间；以及屏蔽构件驱动部件，驱动该磁屏蔽构件。