[发明专利]晶圆对准方法在审
| 申请号: | 201910585997.4 | 申请日: | 2019-07-01 | 
| 公开(公告)号: | CN110299318A | 公开(公告)日: | 2019-10-01 | 
| 发明(设计)人: | 周云鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/60 | 
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 | 
| 地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 镜头组 晶圆 对准标记 对准 正对 对准单元 对准设备 拍摄 搜寻 间隔设置 快速搜寻 拍摄图片 同步运动 整数倍 种晶 视野 图片 | ||
1.一种晶圆对准方法,其特征在于,包括:
提供对准设备,所述对准设备至少包括两个对准单元,每个所述对准单元包括间隔设置且同步运动的低倍镜头组和高倍镜头组,所述低倍镜头组和高倍镜头组之间的距离为待对准的第一晶圆和第二晶圆上的相邻的两个对准标记之间距离的整数倍;
所述低倍镜头组搜寻至正对第一晶圆上的一对准标记,同时所述高倍镜头组与所述第一晶圆上的另一对准标记正对,所述高倍镜头组拍摄所述第一晶圆上的另一对准标记的图片;
所述低倍镜头组搜寻至正对第二晶圆上的一对准标记,同时所述高倍镜头组与所述第二晶圆上的另一对准标记正对,所述高倍镜头组拍摄所述第二晶圆上的另一对准标记的图片;
以所述高倍镜头组拍摄图片为依据,调整所述第一晶圆和第二晶圆的相对位置,以实现对准。
2.如权利要求1所述的晶圆对准方法,其特征在于,所述低倍镜头组包括正对设置的上低倍镜头和下低倍镜头,所述高倍镜头组包括正对设置的上高倍镜头和下高倍镜头。
3.如权利要求2所述的晶圆对准方法,其特征在于,上低倍镜头和下低倍镜头上下对准后锁定,上高倍镜头和下高倍镜头上下对准后锁定。
4.如权利要求3所述的晶圆对准方法,其特征在于,所述高倍镜头组固定于所述对准单元的镜头框架上,调整所述低倍镜头组在所述镜头框架的位置,使所述低倍镜头组与所述高倍镜头组之间的距离为待对准的第一晶圆和第二晶圆上的相邻的两个对准标记之间距离的整数倍,调整后将所述低倍镜头组固定于所述镜头框架上。
5.如权利要求4所述的晶圆对准方法,其特征在于,所述低倍镜头组搜寻至正对第一晶圆上的一对准标记,同时所述高倍镜头组与所述第一晶圆上的另一对准标记正对,所述高倍镜头组拍摄所述第一晶圆上的另一对准标记的图片具体包括:移动所述镜头框架带动所述上低倍镜头移动并搜寻至正对第一晶圆上的一对准标记锁定所述镜头框架,同时上高倍镜头位于第一晶圆上的另一对准标记正上方,所述上高倍镜头拍摄所述第一晶圆上的另一对准标记的图片,之后移走第一晶圆。
6.如权利要求5所述的晶圆对准方法,其特征在于,所述低倍镜头组搜寻至正对第二晶圆上的一对准标记,同时所述高倍镜头组与所述第二晶圆上的另一对准标记正对,所述高倍镜头组拍摄所述第二晶圆上的另一对准标记的图片具体包括:在所述下低倍镜头中搜寻第二晶圆的对准标记,移动第二晶圆直至所述第二晶圆上的一对准标记正对所述下低倍镜头,锁定第二晶圆,同时下高倍镜头位于第二晶圆上的另一对准标记正下方,所述下高倍镜头拍摄所述第二晶圆上的另一对准标记的图片。
7.如权利要求6所述的晶圆对准方法,其特征在于,以所述高倍镜头组拍摄图片为依据,调整所述第一晶圆和第二晶圆的相对位置,以实现对准具体包括:以所述上高倍镜头和下高倍镜头拍摄图片为依据,调整所述第一晶圆的位置,以实现与所述第二晶圆的对准。
8.如权利要求1至7任意一项所述的晶圆对准方法,其特征在于,所述低倍镜头组和高倍镜头组的间隔距离为所述第一晶圆和第二晶圆的一个曝光场的距离。
9.如权利要求2至7任意一项所述的晶圆对准方法,其特征在于,所述上高倍镜头和下高倍镜头的放大倍数大于5倍。
10.如权利要求2至7任意一项所述的晶圆对准方法,其特征在于,所述上低倍镜头和下低倍镜头的放大倍数小于5倍。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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