[发明专利]一种新型半导体IGBT模块组合在审
| 申请号： | 201910584025.3 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110190046A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈微微;林世科 | 申请（专利权）人： | 深圳市红邦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H02M7/00 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 张朝阳;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 正极 负极 新型半导体 三相输出 更大功率 逆变电路 发射极 组合本 装机 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：包括正极半导体以及负极半导体组成的逆变电路，所述正极半导体包括N极负极以及U、V、W三相输出，所述负极半导体包括P极正极以及U、V、W三相输出，所述正极半导体以及负极半导体均具备有多个栅极以及多个发射极。
2.如权利要求1所述的新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：所述U、V、W三相输出分别具有一组栅极以及一组发射极。
3.如权利要求1所述的新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：U相输出包括G1栅极以及G2发射极。
4.如权利要求1所述的新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：V相输出包括G3栅极以及G4发射极。
5.如权利要求1所述的新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：W相输出包括G5栅极以及G6发射极。
6.如权利要求1所述的新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：半导体采用IGBT芯片以及一陶瓷基板，IGBT芯片安装于陶瓷基板上。
7.如权利要求1所述的新型半导体IGBT模块组合，其特征在于：正极半导体以及负极半导体组合结构其电流为150-600A，耐压600-1200V。
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