[发明专利]硒化铜纳米粒子的制备在审
| 申请号： | 201910583651.0 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110277308A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·哈里斯;纳瑟莉·格雷斯蒂;翁布雷塔·马萨拉;奈杰尔·皮克特 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴胜周 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硒化铜 纳米粒子 制备 纳米粒子材料 纳米粒子前体 醇化合物 硒离子 助熔剂 转化 制造 | ||
1.一种硒化铜纳米粒子，所述硒化铜纳米粒子由式Cu(2-x)Se表示，其中0≤x＜2，所述硒化铜纳米粒子具有经由硒-碳键与配体结合的表面，所述纳米粒子通过包括以下步骤的方法制备：
使纳米粒子前体在有机溶剂中反应，所述纳米粒子前体由铜配位化合物和有机硒醇化合物组成。
2.根据权利要求1所述的硒化铜纳米粒子，其中所述有机硒醇化合物由式R-Se-H表示，其中R是取代或未取代的有机基团。
3.根据权利要求2所述的硒化铜纳米粒子，其中所述有机基团是直链的、支链的或环状的。
4.根据权利要求2所述的硒化铜纳米粒子，其中所述有机基团是具有2至20个碳原子的烷基、烯基或炔基基团。
5.根据权利要求1所述的硒化铜纳米粒子，其中所述有机硒醇化合物是1-辛烷硒醇、1-十二烷硒醇或1-十二烷基硒醇中的任一种。
6.根据权利要求1所述的硒化铜纳米粒子，其中所述有机硒醇化合物是1-辛烷硒醇。
7.根据权利要求1所述的硒化铜纳米粒子，其中所述有机非配位溶剂是C8-C24烷烃或C8-C24烯烃。
8.根据权利要求1所述的硒化铜纳米粒子，其中所述有机非配位溶剂是1-十八碳烯。
9.根据权利要求1所述的硒化铜纳米粒子，其中所述有机非配位溶剂具有200℃以上的沸点。
10.根据权利要求1所述的硒化铜纳米粒子，其中所述铜配位化合物是乙酸铜或乙酰丙酮铜。
11.根据权利要求1所述的硒化铜纳米粒子，其中使所述铜配位化合物与所述有机硒醇化合物在所述有机非配位溶剂中反应以第一阶段和第二阶段进行。
12.根据权利要求11所述的硒化铜纳米粒子，其中所述第一阶段包括在惰性气氛中脱气，同时
a.在第一温度下加热第一时间段；
b.在第二温度下加热第二时间段，所述第二温度比所述第一温度更高；和
c.从所述第二温度冷却至室温。
13.根据权利要求12所述的硒化铜纳米粒子，其中所述第二阶段包括：
a.从室温加热至第三温度持续第三时间段，所述第三温度比所述第二温度更高；
b.从所述第三温度冷却至第四温度，所述第四温度在所述第三温度和所述第二温度之间；和
c.从所述第四温度冷却至室温。
14.一种墨水，所述墨水包含：
根据权利要求1的硒化铜纳米粒子；和
墨水基质。
15.根据权利要求14所述的墨水，其中所述墨水基质包括一种或多种选自由下列各项组成的组的有机化合物：芳族化合物、脂族化合物和有机硒醇化合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
