[发明专利]一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用有效
申请号: | 201910583243.5 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN110299453B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 李文琴;吴子华;王元元;刘辉;刘静 | 申请(专利权)人: | 上海第二工业大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 王洁平 |
地址: | 201209 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化钨 电子 传输 制备 方法 及其 钙钛矿 太阳能电池 中的 应用 | ||
1.一种氧化钨电子传输层的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)将2.4g~3g钨酸溶解于30~35mL双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;
(2)将A溶液加热反应0.5~1小时得到透明的B溶液;
(3)在B溶液中加入30~35 mL有机溶剂与45~50mL蒸馏水,加热反应5~20分钟得到溶液C;
(4)在溶液C中加入150~200mL有机溶剂,加热反应40分钟~60分钟,得到无色透明溶胶D;
(5)取一定量的溶胶D在导电玻璃基底上喷涂10~20分钟;
(6)喷涂后的基底在加热台上500℃加热,得到氧化钨电子传输层薄膜;其中:
步骤(2)、步骤(3)和步骤(4)中,加热温度为95~110℃;
步骤(3)和步骤(4)中,有机溶剂选自无水乙醇或异丙醇或正丁醇中一种;
步骤(5)中,导电玻璃基底为FTO导电玻璃;取用溶胶D的体积为10~50mL,采用喷雾热解技术制备,喷涂速度为2mL/min;
步骤(6)中,加热时间为20~40分钟。
2.一种根据权利要求1所述的制备方法制得的氧化钨电子传输层。
3.一种根据权利要求2所述的氧化钨电子传输层在钙钛矿太阳能电池中作为电子传输层的应用。
4.根据权利要求3所述的应用,其特征在于,钙钛矿太阳能电池为可印刷钙钛矿太阳能电池。
5.根据权利要求4所述的应用,其特征在于,钙钛矿太阳能电池由氧化钨电子传输层上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极获得。
6.根据权利要求5所述的应用,其特征在于,钙钛矿太阳能电池的开路电压达到850-891mV。
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