[发明专利]一种基于手性金属吸收的热电子的光电探测器

权利要求书

1.一种基于手性金属吸收的热电子光电探测器，其特征在于：所述光电探测为多层结构，由下而上依次为衬底层(1)、下金属层(2)、中间半导体层(3)、上金属层(4)；下金属层(2)和上金属层(4)通过导线连接；

其中，所述下金属层(2)和上金属层(4)分别由手性孔结构周期排布构成，所述下金属层(2)是由左手性孔结构周期排布而成；所述上金属层(4)是由右手性孔结构周期排布而成。

2.根据权利要求1所述的热电子光电探测器，其特征在于：所述中间半导体层(3)厚度为30nm，所述上金属层(4)厚度为20nm，所述下金属层(2)厚度为50nm。

3.根据权利要求1所述的热电子光电探测器，其特征在于：所述左手性孔结构的周期为500nm，所述右手性孔结构的周期为500nm。

4.根据权利要求2所述的热电子光电探测器，其特征在于：所述下金属层(2)和上金属层(4)由贵金属材料Au制成；所述中间半导体层(3)为金属氧化物Al₂O₃制成。

5.根据权利要求4所述的热电子光电探测器，其特征在于：所述下金属层(2)、中间半导体层(3)、上金属层(4)之间均分离接触。