[发明专利]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括至少一个存储单元，所述存储单元包括：

一条自旋轨道矩提供线，包括第一表面，所述第一表面具有多个写区域；

多个存储结构，所述存储结构一一对应地位于所述写区域中，各所述存储结构为在电流的驱动下可改变存储状态的结构；

一个擦除开关，包括第一端、第二端和控制端，所述擦除开关的第二端与所述自旋轨道矩提供线的第一端电连接；

多个隔离设置的写开关，各所述写开关包括第一端、第二端和控制端，所述写开关一一地对应与所述写区域并联，且所述写开关的与所述写区域并联的两端分别为所述写开关的第一端和所述写开关的第二端，多个所述写开关串联；

多个隔离设置的读开关，各所述读开关包括第一端、第二端和控制端，所述读开关的第二端与所述存储结构电连接，所述擦除开关、所述写开关和所述读开关隔离设置。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元还包括：

多个金属连接结构，各所述金属连接结构位于所述自旋轨道矩提供线的表面上，任意一个所述存储结构对应两个所述金属连接结构，任意一个所述存储结构位于两个所述金属连接结构之间，或者任意一个所述存储结构在设置有所述金属连接结构的表面上的投影位于两个所述金属连接结构之间，所述写开关的第一端和第二端分别与对应的所述存储结构两侧的两个所述金属连接结构电连接。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述自旋轨道矩提供线还包括与所述第一表面相对的第二表面，各所述金属连接结构位于所述第二表面上，且任意一个所述存储结构在所述第二表面上的投影位于两个所述金属连接结构之间，各所述金属连接结构至少位于一个所述写区域对应的第二表面上。

4.根据权利要求2或3所述的存储器，其特征在于，所述金属连接结构的个数比所述存储结构的个数多一个，且相邻的两个所述写开关共用一个所述金属连接结构，被共用的所述金属连接结构同时位于两个相邻的所述写区域的表面上。

5.根据权利要求2或3所述的存储器，其特征在于，所述存储器包括存储阵列，所述存储阵列包括多个所述存储单元，所述存储器还包括：

至少一个源极线，所述源极线的一端与一个所述存储单元的各所述读开关的第一端分别电连接，另一端与所述擦除开关的第一端电连接；

至少一个读字线组，所述读字线组与所述存储单元一一对应，各所述读字线组包括多个间隔设置的读字线，各所述读字线组中的所述读字线与一个所述存储单元的所述读开关的控制端一一对应电连接；

至少一个写字线组，所述写字线组与所述存储单元一一对应，各所述写字线组包括多个间隔设置的写字线，各所述写字线组中的所述写字线与一个所述存储单元的所述写开关的控制端一一对应电连接；

至少一个位线，所述位线与所述自旋轨道矩提供线的第二端电连接，所述自旋轨道矩提供线的第一端和所述自旋轨道矩提供线的第二端相对。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，在各所述存储单元中，所述自旋轨道矩提供线的电阻小于预定电阻，所述预定电阻为所述存储结构在低阻态时的电阻的一半。

7.根据权利要求2或3所述的存储器，其特征在于，

所述擦除开关为第一MOS管，所述第一MOS管的源极为所述擦除开关的第一端，所述第一MOS管的漏极为所述擦除开关的第二端，所述第一MOS管的栅极为所述擦除开关的控制端；

所述写开关为第二MOS管，所述第二MOS管的源极为所述写开关的第一端，所述第二MOS管的漏极为所述写开关的第二端，所述第二MOS管的栅极为所述写开关的控制端；

所述读开关为第三MOS管，所述第三MOS管的源极为所述读开关的第一端，所述第三MOS管的漏极为所述读开关的第二端，所述第三MOS管的栅极为所述读开关的控制端。

8.根据权利要求2或3所述的存储器，其特征在于，所述写区域的电阻大于所述写开关导通时的电阻。