[发明专利]晶圆承载装置、系统与方法

说明书

本发明是晶圆承载装置、系统与方法，本发明揭露描述一种装置。此装置包含一静电吸盘、一气体通道和多个气孔。此静电吸盘是用以置放一物件于其上。此气体通道沿着静电吸盘的一外侧壁的一周边延伸，并将静电吸盘分为一内部分和一侧壁部分。此些气孔贯穿侧壁部分并配置以连接一气体外部至静电吸盘并至气体通道。

技术领域

本揭露实施方式是有关于静电吸盘的装置与系统及其操作方法。

背景技术

静电吸盘(Electrostatic Chucks；ESCs)被广泛地应用在半导体制程中，以在不同的操作期间承载晶圆，例如电浆基底的蚀刻、离子植入、化学气相沉积(CVD)等。静电吸盘包含具有整合的电极的平台。在操作期间，这些电极被施加高伏特的偏压，以在平台与被承载的物件(例如晶圆)间建立一静电支撑力。提供此静电支撑力的静电吸盘的这个部分提供被称为“吸盘”。

静电吸盘可被用于不同的系统中，例如蚀刻、离子植入、化学气相沉积系统。举例而言，在干式蚀刻系统中，静电吸盘是位于腔室中，以承载将被蚀刻的晶圆。可通入反应气体至腔室中，并可在晶圆产生电浆。自由基/高能离子可由电浆所形成，而撞击晶圆表面。这些自由基/高能离子可与晶圆表面碰撞，而通过撞掉材料和与材料反应来去除部分的晶圆。

发明内容

在一些实施方式中，一种装置包含：静电吸盘、多个气孔和气体通道。静电吸盘用以置放物件于其上；气体通道沿着该静电吸盘的外侧壁的周边延伸，并将静电吸盘分为内部分和侧壁部分；此些气孔贯穿侧壁部分并配置以连接气体通道至在该静电吸盘外的气体。

在一些实施方式中，一种方法包含：装载晶圆至晶圆承载结构上；在晶圆上进行一或多个操作；以及形成环绕该晶圆承载结构的外侧壁的气体帘幕。

在一些实施方式中，一种系统包含：腔室和控制装置。腔室包含：晶圆承载结构，晶圆承载结构包含静电吸盘和气体通道，静电吸盘用以置放物件于其上，气体通道沿着静电吸盘的外侧壁的周边延伸。气体通道可将静电吸盘分为内部分和侧壁部分。晶圆承载结构亦可包含多个气孔，此些气孔贯穿侧壁部分并配置以连接气体通道至在晶圆承载结构外的气体。气体通道配置以容许惰性气体流过此些气孔，以形成环绕静电吸盘的外侧壁的气体帘幕。控制装置可配置以控制腔体中的一或多个操作和沿着静电吸盘的外侧壁的气体帘幕。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露有更佳的了解。需强调的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示，且仅作为例示的目的。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。

图1是绘示一种静电吸盘的剖面示意图；

图2A和图3A每一者是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种静电吸盘结构的剖面示意图；

图2B是绘示图2A中沿着2-2’方向所示的静电吸盘结构的俯视示意图；

图3B是绘示图3A中沿着3-3’方向所示的静电吸盘结构的俯视示意图；

图4是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种控制系统；

图5是绘示依照本揭露的一些实施方式的保护静电吸盘结构免被偏转的自由基损坏的方法；

图6是绘示实施本揭露的各种实施方式的一种例示计算机系统。

【符号说明】

100 静电吸盘结构

109 电极

111 基座平台

112 加热构件

113 隔热构件

114 基座

115 气体隧道