[发明专利]存储器存放装置及其动态数据修复的方法有效
申请号: | 201910578897.9 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN112151104B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 连存德;谢明辉;林小峰;张雅廸;林纪舜 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C16/10 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;刘芳 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 存放 装置 及其 动态 数据 修复 方法 | ||
本发明提供一种具有动态数据修复机制的存储器存放装置。存储器存放装置包含连接接口、存储器阵列以及存储器控制电路。存储器控制电路至少进行以下操作:自连接接口接收包括用户数据以及用户数据的地址的写入命令;将用户数据编码成包括用户数据以及同比特的码字;在存储器阵列的第一存储器位置中写入所述码字以作为写入码字;执行写入码字的读取程序以判断所述写入码字是否被错误写入;以及响应于判断写入码字被错误写入,存储用户数据的冗余码字在第二存储器位置中。
技术领域
本发明涉及一种具有动态数据修复机制的存储器存放装置及其动态数据修复的方法。
背景技术
一般来说,可根据特定错误修正码(error correcting codes;ECC)方案将待写入到可重写非易失性存储器(non-volatile memory;NVM)的用户数据编码成码字。码字通常包含待存储的用户数据、对应于特定ECC方案的奇偶校验位以及任选各种其它的旗标比特。读取自可重写非易失性存储器的码字还可通过对应解码程序来处理以恢复为原始用户数据。
当NVM接近生命周期结束时,在写入过程期间可发生错误。当发生错误时NVM将需要一种方式来修复写入在NVM上的用户数据以延伸NVM的使用寿命。
当NVM仍在工厂进行测试时,如果检测到错误,则可以实施没有任何时间限制的重写过程。此外,NVM可以在NVM仍在工厂时重写整行或整列。
然而,一旦NVM离开工厂并且完全可操作,NVM就被工厂规格绑定,以在每次写入周期期间在工厂规格内完成写入过程。此外,重写整行或整列不是一种选项,因为这样做会抹除已经存储的其他用户数据。因此,NVM在完全可操作时使用的更复杂的数据修复机制可用于动态修复即时上的错误。
发明内容
因此,本发明提供一种具有动态数据修复机制和动态数据修复方法的存储器存放装置。
在一个方面,本发明涉及一种具有动态数据修复机制的存储器存放装置,存储器存放装置包括从外部连接到主机系统的元件的连接接口;存储器阵列;以及连接到所述连接接口以及所述存储器阵列的存储器控制电路,并至少配置为:自连接接口接收包括用户数据以及用户数据的地址的写入命令;将用户数据编码成包括用户数据以及同比特的码字;在存储器阵列的第一存储器位置中写入所述码字以作为写入码字;执行写入码字的读取程序以判断写入码字是否被错误写入;以及响应于判断写入码字被错误写入,存储用户数据的冗余码字在第二存储器位置中。
在一个方面,本发明涉及一种使用存储器存放装置执移动态数据修复的方法,所述方法包括:自连接接口接收包括用户数据以及用户数据的地址的写入命令;将用户数据编码成包括用户数据以及同比特的码字;在存储器阵列的第一存储器位置中写入所述码字以作为写入码字;执行写入码字的读取程序以判断写入码字是否被错误写入;以及响应于判断写入码字被错误写入,存储用户数据的冗余码字在第二存储器位置中。
为了使上述特征和本发明的优点易于理解,下面将详细描述伴随图的示例性实施例。应理解,前面的一般性描述和以下的详细描述都是示例性的,并且旨在对要求保护的本发明内容进行进一步说明。
然而,应该理解,该概述可以不包含本发明的所有方面和实施例,因此不意味着以任何方式进行限制或限制。而且,本发明将包括对本领域技术人员显而易见的改进和修饰。
附图说明
图1是说明根据本发明的示范性实施例示出的具有动态数据修复机制的存储器存放装置的示意区块图;
图2是说明根据本发明的示范性实施例示出的用于存储器存放装置的动态数据修复方法的流程图;
图3是说明根据本发明的第一示范性实施例示出的用于存储器存放装置的动态数据修复方法的示意图;
图4是说明根据本发明的示范性实施例示出的用于存储器存放装置的动态数据修复方法的示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910578897.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。