[发明专利]一种集成电路及包括该集成电路的移动终端

说明书

本发明提供一种集成电路，该集成电路包括第一隔直电容、放大器和高通滤波器，所述高通滤波器由第二隔直电容和开关电阻并联组成，所述开关电阻由开关和电阻串联组成；其中，所述第一隔直电容的一端连接所述集成电路的信号输入端，另一端连接所述放大器的负输入端，所述放大器的输出端作为所述集成电路的信号输出端，所述高通滤波器连接所述放大器的输入端和输出端。

技术领域

本发明主要涉及集成电路领域，尤其涉及一种集成电路及包括该集成电路的移动终端。

背景技术

消费电子产品已经广泛应用于日常生活，其中音频信号(例如通话或者录音)的输入处理，将语音转换为电子产品能够处理的数字信号，需要用到放大器。

音频信号的处理效果，例如通话的语音质量、智能音箱或者AI产品的语音识别率、录音笔录音的音效，是消费者选择产品的重要影响因素。为了提升语音质量，例如通话中对噪声的抑制，智能音箱对远场声音的拾取等，通常采用多个麦克风，然后通过软件算法来增强声学处理效果。例如，智能手机会使用2个以上的麦克风来降噪，其中一个麦克风采集环境周围的噪声，另一个麦克风采集通话的语音，将2个麦克风采集到信号经过算法处理能够得到更清晰的语音。又例如，智能音箱或者AI产品为了有效的拾取可能来自各个角度的声音，用到了麦克阵列技术，麦克风阵列中麦克风的数量可以达到6～8。在消费品电子产品中，麦克风有增多的趋势。

随着麦克风数量的增多，所需要的隔直电容的数量也会相应增多。隔直电容的增多会带来如下问题：(1)增加了物料清单(Bill of Material，BOM)的数量和成本；(2)增加了印刷电路板(Printed circuit board，PCB)的布局面积以及电子设计自动化(Electronic design automation，EDA)的走线复杂度，从而增加了设计的难度；(3)电容的不匹配，常用的X5R类型100nF电容的容值精度一般为±10％，对于采用差分输入方式的放大器而言，这两个电容可能会产生±20％的不匹配，将会增大总谐波失真加噪声(TotalHarmonic Distortion+Noise，THD+N)，影响了音频性能。

对于高质量录音或者VOLTE中增强型语音通话服务(Enhanced Voice Service，EVS)应用来说，高通滤波器的截止频率不能太大，其值需要低于20Hz以下，才能满足产品对音频处理的需求。在满足f_-3dB<20Hz的条件下，需要放大器的等效输入阻抗于4G欧姆以上，在155mm工艺的芯片上实现如此数量级的电阻，需要占用大约4mm*4mm的面积，这个面积在实际芯片设计中是难以接受的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种集成电路及包括该集成电路的移动终端，以提高放大器的等效阻抗，避免片外隔直电容的使用，提升集成电路的信号处理性能。

为解决上述技术问题，本发明的一方面提供了一种集成电路，该集成电路包括第一隔直电容、放大器和高通滤波器，所述高通滤波器由第二隔直电容和开关电阻并联组成，所述开关电阻由开关和电阻串联组成；其中，所述第一隔直电容的一端连接所述集成电路的信号输入端，另一端连接所述放大器的负输入端，所述放大器的输出端作为所述集成电路的信号输出端，所述高通滤波器连接所述放大器的输入端和输出端。

在本发明的一实施例中，所述放大器为单端输入放大器，所述单端输入放大器的正输入端连接一偏置电压。

在本发明的一实施例中，所述放大器为差分输入放大器，所述差分输入放大器的正输入端和负输入端连接两个结构相同的差分支路。

在本发明的一实施例中，所述开关电阻的开关为MOS管。

在本发明的一实施例中，所述第一隔直电容和/或第二隔直电容为可变电容。

在本发明的一实施例中，所述可变电容为开关电容阵列，所述开关电容阵列由多个电容开关串并联组成，所述电容开关串由电容和开关串联组成。