[发明专利]一种具有多指漏极的光电探测器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910577217.1 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110289273A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 金湘亮;曹胜果 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 410012 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压深N阱 漏极 衬底 光电探测器件 二极管结构 蓝紫光 嵌有 源极 波长选择性 电极引出端 光电二极管 短路结构 感光结构 环形栅极 近红外光 同心的 注入区 响应 感光 制作 | ||
1.一种具有多指漏极的光电探测器件，其特征在于：包括P型衬底，P型衬底上表面中间内嵌有圆柱形高压深N阱，高压深N阱上表面中间内嵌有圆柱形P阱，P型衬底与高压深N阱形成二极管结构Ⅰ，高压深N阱与P阱形成二极管结构Ⅱ；
所述P阱上表面中间设有多个同心的环形N+漏极，P阱上表面位于N+漏极外侧设有1个环形P+源极，P+源极与位于最外侧的N+漏极之间设有环形栅极，多个N+漏极与P阱形成PN结的感光结构；
所述P型衬底上表面位于高压深N阱外侧区域设有环形P+注入区作为P型衬底连接电极；所述高压深N阱上表面位于P阱外侧区域设有环形N+注入区作为高压深N阱的连接电极。
2.根据权利1所述的具有多指漏极的光电探测器件，其特征在于：多个N+漏极与P+源极位于同一平面。
3.根据权利1所述的具有多指漏极的光电探测器件，其特征在于：所述P型衬底采用P型材料制成，P型材料为在硅中掺入元素周期表中第四族元素。
4.根据权利1所述的具有多指漏极的光电探测器件，其特征在于：所述高压深N阱采用N型材料制成， N型材料为在硅中掺入元素周期表中第五族元素。
5.一种根据权利要求1-4中任一项所述的具有多指漏极的光电探测器件的制作方法，包括以下步骤：
步骤一：在P型衬底上生长二氧化硅层，在二氧化硅层上通过低压化学气象淀积方法淀积一层氮化硅层；
步骤二：通过第一次光刻，并进行磷离子Ⅰ注入，在P型衬底上形成一个高压深N阱，并通过高温退火，激活磷离子Ⅰ；
步骤三：通过第二次光刻，并进行轻掺杂的硼离子Ⅰ的注入，在高压深N阱内形成P阱，并通过高温退火 , 激活硼离子Ⅰ；
步骤四：通过第三次光刻，在P阱上形成栅极；
步骤五：通过第四次光刻，并进行重掺杂的磷离子Ⅱ的注入，在P阱内形成多个N+注入区作为多指漏极，并通过高温退火，激活磷离子Ⅱ；
步骤六：通过第五次光刻，并进行重掺杂的磞离子Ⅱ的注入，在P阱内形成一个P+注入区作为源极，并通过高温退火，激活磞离子Ⅱ；
步骤七：通过第六次光刻，并进行重掺杂的磷离子Ⅲ的注入，在高压深N阱内形成一个N+注入区，作为高压深N阱的连接电极；
步骤八：通过第七次光刻，并进行重掺杂的磞离子Ⅲ的注入，在P型衬底内形成一个P+注入区，作为P型衬底的连接电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
