[发明专利]一种钙钛矿紫外光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿紫外光电探测器，其特征在于，包括：

量子点荧光体(1)；

量子点荧光体CPI衬底(2)完全覆盖于量子点荧光体(1)上；

ITO导电玻璃衬底(3)完全覆盖于量子点荧光体CPI衬底(2)上；

钙钛矿光吸收层阵列(4)位于ITO导电玻璃衬底(3)上且被ITO导电玻璃衬底(3)和PCBM电子传输层(5)完全包围；

PCBM电子传输层(5)位于ITO导电玻璃衬底(3)、钙钛矿光吸收层阵列(4)和BCP缓冲层(6)之间；

BCP缓冲层(6)完全覆盖于PCBM电子传输层(5)上；

Au电极(7)位于BCP缓冲层(6)上；

钙钛矿光电二极管包括ITO导电玻璃衬底(3)、钙钛矿光吸收层阵列(4)、PCBM电子传输层(5)、BCP缓冲层(6)和Au电极(7)；

量子点荧光体CPI衬底(2)、ITO导电玻璃衬底(3)和BCP缓冲层(6)投影面积等于量子点荧光体(1)。

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿紫外光电探测器，其特征在于，包括：

所述量子点荧光体(1)包括以下材料至少一种：CsPbBr₃、CsPbCl_3-xBr_x、CsPbI_3-xBr_x。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿紫外光电探测器，其特征在于，包括：

所述量子点荧光体CPI衬底(2)为柔性透明衬底。

4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿紫外光电探测器，其特征在于，包括：

所述量子点荧光体CPI衬底(2)为玻璃衬底。

5.根据权利要求1所述的一种钙钛矿紫外光电探测器，其特征在于，包括：

所述钙钛矿光电二极管的感光材料包括以下材料至少一种：CH₃NH₃PbI₃、CsPbI_3-xCl_x、CsPbI_3-xBr_x。

6.一种钙钛矿紫外光电探测器的制备方法，包括：

(1)ITO导电玻璃衬底(3)的清洗；

(2)制备钙钛矿光吸收层阵列(4)；

(3)PCBM电子传输层(5)、BCP缓冲层(6)和Au电极(7)的制备；

(4)下转换量子点荧光体(1)的制备；

(5)组装量子点荧光体(1)和钙钛矿光电二极管。

7.根据权利要求6所述的一种钙钛矿紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

所述钙钛矿光吸收层阵列(4)的制备方法为两步法，包括蒸镀碘化铅，旋涂碘甲胺MAI。

8.根据权利要求7所述的一种钙钛矿紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

所述的蒸镀碘化铅方法为在蒸镀碘化铅前旋涂一层碘甲胺MAI。

9.根据权利要求6所述的一种钙钛矿紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

所述的PCBM电子传输层(5)和BCP缓冲层(6)的制备方法包括旋涂法；

所述的Au电极(7)的制备方法包括热蒸发法。

10.根据权利要求6所述的一种钙钛矿紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

所述的下转换量子点荧光体(1)的制备方法包括以下至少一种：旋涂、刮涂、滴涂或浇灌。