[发明专利]红光磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的产品

说明书

本申请公开了一种红光磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的产品。该红光磷化铟纳米晶的制备方法包括步骤：S1、使铟前体、磷前体与有机溶剂混合，于第一温度下反应，得到磷化铟纳米晶核溶液；S2、将磷化铟纳米晶核溶液迅速升温至第二温度，保持一段时间；S3、于S2的反应体系中加入合成纳米晶的壳所需的前体物质，得到红光磷化铟纳米晶。本申请采用“低温成核‑快速升温助核生长‑最后包壳”的制备方法，得到了荧光发射峰峰值在580～670nm的红光磷化铟纳米晶，其荧光发射峰半峰宽小(≤50nm)、荧光量子产率高(＞80％)，满足磷化铟纳米晶的应用使用需求。

技术领域

本申请属于纳米材料领域，尤其涉及一种磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的产品。

背景技术

纳米晶具有半峰宽窄、量子产率高等优点，在显示、照明等领域有着巨大的应用前景。与II-VI族元素纳米晶(硒化镉纳米晶、碲化镉纳米晶等)相比，以磷化铟纳米晶为代表的III-V族元素纳米晶不含镉等高毒性元素、应用范围更广，正逐渐受到科研界和产业界的关注。

然而，现有技术合成的磷化铟纳米晶的光学性能，如发光效率、荧光发射峰半峰宽等，相对于II-VI族元素纳米晶都还存在非常明显的差距。且磷化铟纳米晶的荧光发射波长越大，其发光效率越低、荧光发射峰半峰宽也越大，不能满足后续应用或使用的需求。

优化磷化铟纳米晶的制备方法具有非常重要的意义。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种光学性能好的红光磷化铟纳米晶的制备方法。

根据本申请的一个方面，提供一种红光磷化铟纳米晶的制备方法，包括步骤：

S1、使铟前体、磷前体与有机溶剂混合，于第一温度下反应，得到磷化铟纳米晶核溶液；

S2、将所述磷化铟纳米晶核溶液迅速升温至第二温度，保持一段时间；

S3、于S2的反应体系中加入合成纳米晶的壳所需的前体物质，得到所述红光磷化铟纳米晶，所述红光磷化铟纳米晶的荧光发射峰峰值在580～670nm。

进一步地，所述第一温度的范围在110～160℃。

进一步地，所述第二温度的范围在280～340℃。

进一步地，S2中，将所述磷化铟纳米晶核溶液迅速升温至第二温度，保持至少10min。

进一步地，所述有机溶剂选自碳原子数≥6的饱和或者不饱和胺中的至少一种。

进一步地，所述磷前体的化学结构式为M—(O—C≡P)_n，其中，M为金属元素，n为1、2或者3。

进一步地，所述磷化铟纳米晶核溶液中含有第一锌前体。

进一步地，所述第一锌前体选自卤化锌。

进一步地，以物质的量计，所述第一锌前体与所述铟前体的比值为(0.01～10):1。

进一步地，所述纳米晶的壳包括ZnS、ZnSe、ZnSeS中的至少一种。

根据本申请的另一个方面，提供一种红光磷化铟纳米晶，由上述制备方法制得。

进一步地，所述红光磷化铟纳米晶的荧光发射峰峰值在580～670nm。

借由上述方案，本申请的有益效果在于：

本申请采用“低温成核-快速升温助核生长-最后包壳”的制备方法，得到了荧光发射峰峰值在580～670nm的红光磷化铟纳米晶，其荧光发射峰半峰宽小(≤50nm)、荧光量子产率高(＞80％)，满足磷化铟纳米晶的应用使用需求。