[发明专利]离线量产产品工艺参数调整方法及其调整系统

权利要求书

1.一种离线量产产品工艺参数调整方法，用于WAT，其特征在于，包括以下步骤：

1)收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；

2)通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；

3)量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。

2.如权利要求1所述的离线量产产品工艺参数调整方法，其特征在于，还包括以下步骤：

4)采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。

3.如权利要求1所述的离线量产产品工艺参数调整方法，其特征在于：实施步骤4)时，从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。

4.如权利要求1所述的离线量产产品工艺参数调整方法，其特征在于：

采用以下方式计算每张晶片每个工艺参数的拟合平面函数；

a)收集晶片WAT工艺参数，建立每个WAT工艺参数的平面函数：

a₁₁x²+a₂₂y²+2a₁₂xy+2a₁₃x+2a₂₃y+a₃₃＝z；

a₁₁、a₂₂、a₁₂、a₁₃、a₂₃、a₃₃为平面函数的系数，X、Y为芯片在硅片上的坐标，Z为需要调整的工艺参数值；

b)对每个参数带入WAT实测数据建立该工艺参数的误差函数：

δ为总的误差,N为样本行列总数,i为取样的行数,j为取样的列数,X、Y为各个样本点的硅片上坐标，a₀、a₁、a₂、a₃、a₄、a₅为平面函数系数,a₀＝a₃₃、a₁＝a₁₃、a₂＝a₂₃、a₃＝a₁₁、a₄＝a₁₂、a₅＝a₂₂,Z_i,j为各个样本点的实际工艺参数值；

c)求出误差最小时的常数；

d)按晶片测试图形每个工艺参数的WAT实测数据与通过平面函数计算所得到的WAT值误差最小为原则，选取每个工艺参数误差最小的点，将误差最小的点通过多点参数拟合，计算获得每个工艺参数独立的二次曲面函数作为该工艺参数的拟合平面函数。

5.一种离线量产产品工艺参数调整系统，用于WAT系统，其特征在于，包括：

数据采集模块，其收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据；

计算模块，根据数据采集模块采集的数据计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数，并通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；

补正查询模块，通过查询补正表格将获得对应参数补正设定。

6.如权利要求5所述的离线量产产品工艺参数调整系统，其特征在于，还包括：

校验模块，收集采用补正设定进行量产产品的实测数据，利用量产产品实测数据进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。