[发明专利]一种显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910569522.6 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110265462B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 曹方义 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 张海英 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括显示区,所述显示区包括相邻的第一显示区和第二显示区,所述显示面板还包括衬底以及位于所述衬底一侧依次层叠的第一电极层、发光层和第二电极层;所述第一电极层在所述第一显示区内的厚度大于所述第一电极层在所述第二显示区内的厚度。本发明通过对第一电极层结构厚度的改进,极大地改善了色偏现象,提升了显示效果。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,显示面板在人们生活中的应用也越来越广泛,人们对显示面板的显示效果要求也越来越高。
然而现有的显示面板随着视角的增大,会出现色偏的现象,严重影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明提供一种显示面板和显示装置,以改善显示面板的色偏现象。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括显示区,所述显示区包括相邻的第一显示区和第二显示区,所述显示面板还包括衬底以及位于所述衬底一侧依次层叠的第一电极层、发光层和第二电极层;
所述第一电极层在所述第一显示区内的厚度大于所述第一电极层在所述第二显示区内的厚度。
可选地,所述显示区还包括围绕所述第一显示区的四个边缘区,所述第二显示区为至少一个所述边缘区;和/或,所述显示区还包括至少一个弯折区,所述第二显示区与至少一个所述弯折区相交叠。
可选地,在所述第一电极层靠近所述发光层的表面上,所述第一电极层在所述第二显示区的表面粗糙度大于所述第一电极层在所述第一显示区的表面粗糙度,从而调节第一电极层对发光层发射光的吸收和折射,在第二显示区,第一电极层对蓝光的吸收最少,进而减小红光与蓝光随视角增大亮度衰减的差异。
可选地,所述第一电极层在所述第二显示区的表面粗糙度大于0.5nm,所述第一电极层在所述第一显示区的表面粗糙度小于0.1nm。
可选地,所述第一电极层包括依次层叠的第一氧化铟锡层、反射层和第二氧化铟锡层,其中所述第一氧化铟锡层位于所述反射层靠近所述衬底的一侧;
所述第二氧化铟锡层位于所述第二显示区的厚度小于所述第二氧化铟锡层位于所述第一显示区的厚度,既不会影响反射层对发光层的出射光经的反射效率,还能够实现对弯折区微腔的调节,从而增大视角出光,提高了蓝光随的出光量,减小了红绿蓝三基色光的亮度衰减趋势差距,从而改善显示面板大视角偏红的现象,也即改善了视角色偏,提高了显示效果。
可选地,所述第二氧化铟锡层位于所述第二显示区的厚度为所述第二氧化铟锡层位于所述第一显示区的厚度的30%~70%。
可选地,所述第二氧化铟锡层位于所述第一显示区的厚度为80纳米至120纳米。
可选地,还包括空穴注入层,所述空穴注入层位于所述第一电极层和所述发光层之间,在所述第二显示区,所述第一电极层与所述空穴注入层之间设置有垫高层,所述垫高层的折射率与所述空穴注入层的折射率一致,发光层发出的光经空穴传输层到垫高层之后不会发生折射以及全反射现象,从而使得显示面板的出光效率更高,提高显示面板的显示效果。
可选地,所述第二显示区为至少一个所述边缘区,在所述边缘区指向所述第一显示区的方向上,所述边缘区的长度为所述显示区长度的3%~20%;和/或,所述第二显示区为至少一个所述弯折区,所述弯折区为位于所述第一显示区相对的两侧的边缘区,在所述弯折区指向所述第一显示区的方向上,所述弯折区的长度为所述显示区长度的3%~20%。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括第一方面所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的