[发明专利]数据的处理方法及装置、存储介质和电子装置在审

专利信息
申请号: 201910569119.3 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN112149047A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 王洪;徐科;鲁国宁;甄德根;孔德辉;张晓 申请(专利权)人: 深圳市中兴微电子技术有限公司
主分类号: G06F17/15 分类号: G06F17/15
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 江舟
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 数据 处理 方法 装置 存储 介质 电子
【权利要求书】:

1.一种数据的处理方法,其特征在于,包括:

读取所有输入通道的M*N的特征图数据,以及预设数量的输出通道的权重,其中,M*N的取值和所述预设数量的取值分别由预设的Y*Y权重确定,M、N和Y均为正整数;

将读取到的特征图数据和所述输出通道的权重输入到所述预设数量的输出通道的乘加阵列中进行卷积计算;其中,卷积计算的方式包括:在所述特征图数据或所述输出通道的权重为零的情况下不进行所述卷积计算;在存在多个所述特征图数据的取值相同的情况下,从多个相同的取值中选择一个进行所述卷积计算;

输出所述卷积计算的结果。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述读取所有输入通道的M*N的特征图数据,以及预设数量的输出通道的权重,包括:

读取所有输入通道的M*N的特征图数据并保存到存储器中;

读取预设数量的输出通道的权重并保存到所述存储器中。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将读取到的特征图数据和所述输出通道的权重输入到所述预设数量的输出通道的乘加阵列中进行卷积计算,包括:

步骤S1,将第一输入通道的M*1的特征图数据输入到预设数量的输出通道的计算阵列中,并使用第一组的Z*1个乘加单元进行乘加计算得到Z个计算结果,其中,Z由所述预设的Y*Y权重确定;

步骤S2,接下来的周期中,依次输入下一行的M*1的特征图数据到预设数量的输出通道的计算阵列中,直到执行读取操作的第Y个周期后,并将所有特征图数据进行整体替换,其中,所述读取操作为:读取所有输入通道的M*N的特征图数据,以及预设数量的输出通道的权重;

步骤S3,继续输入下一行的M*1的特征图数据到预设数量的输出通道的计算阵列中,并依次使用下一组Z*1个乘加单元进行乘加计算以得到Z个计算结果,直到执行所述读取操作的第Y*Y个周期后,第一行的Z个数据在所述第一输入通道上所有乘加计算均完成;

步骤S4,将所述第一输入通道的下一个输入通道的特征图数据输入到所述计算阵列中,并重复执行上述步骤S1至步骤S4;

步骤S5,在执行所述读取操作到Y*Y*预设数量周期之后,第一行的Z个数据的所有乘加计算均完成,并输出计算结果;

步骤S6,读取所有输入通道的下一个M*N特征图数据,重复执行上述步骤S1至步骤S5,直到所有输入通道的特征图数据均计算完成。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述步骤S2包括:

步骤S21,下一个周期,将所述第一输入通道的下一行M*1的特征图数据送到预设数量的输出通道的计算阵列中,使用第二组的Z*1个乘加单元进行乘加计算,得到下一行Z个点的中间结果,并将第一行的特征图数据左移,以使得同一个输出点的所有乘加都在同一个乘加单元实现;

步骤S22,继续输入下一行M*1的特征图数据,并与所述步骤S21做相同处理;

步骤S23,在所述读取操作的第Y个周期后,继续输入下一行M*1的特征图数据,并与步骤S21做相同处理,并对所有特征图数据进行整体替换。

5.一种数据的处理装置,其特征在于,包括:

读取模块,用于读取所有输入通道的M*N的特征图数据,以及预设数量的输出通道的权重,其中,M*N的取值和所述预设数量的取值分别由预设的Y*Y权重确定,M、N和Y均为正整数;

卷积模块,用于将读取到的特征图数据和所述输出通道的权重输入到所述预设数量的输出通道的乘加阵列中进行卷积计算;其中,卷积计算的方式包括:在所述特征图数据或所述输出通道的权重为零的情况下不进行所述卷积计算;在存在多个所述特征图数据的取值相同的情况下,从多个相同的取值中选择一个进行所述卷积计算;

输出模块,用于输出所述卷积计算的结果。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述读取模块包括:

第一读取单元,用于读取所有输入通道的M*N的特征图数据并保存到存储器中;

第二读取单元,用于读取预设数量的输出通道的权重并保存到所述存储器中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市中兴微电子技术有限公司,未经深圳市中兴微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910569119.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top