[发明专利]一种双模态聚焦的环阵探头的制备方法及环阵探头

说明书

本发明公开了一种双模态聚焦的环阵探头的制备方法及环阵探头，所述方法包括：确定所需制备的环阵探头的基本参数，并根据所述基本参数确定阵元类型门限值；根据所述环阵类型门限值确定所需制备的环阵探头的阵元类型；采用所述阵元类型的阵元，并按照基本参数制备环阵探头。本发明在环阵探头基本参数确定的前提下，通过所述基本参数确定用于确定阵元类型的门限值，并人家所述门限值来环阵探头的阵元为平面阵元或凹面阵元，这样根据不同的基本参数选取不同的类型的阵元，使得所述环阵探头可以具有电子聚焦和/或自然聚焦两个模态，从而在保证轴向分辨率不变的前提下，提高要求的声场范围的横向分辨率和接收灵敏度。

技术领域

本发明涉及环阵探头技术领域，特别涉及一种双模态聚焦的环阵探头的制备方法及环阵探头。

背景技术

环型探头可以到在波束方向上逐点聚焦并具有很高的灵敏度，从而依据上述特殊，环阵探头可以与机械扫描相结合，以用于生成体超声扫描的二维和/或三维成像。然而，由于超声临床应用以及环阵探头的加工工艺的限制，从而环阵探头的环阵阵元数量以及环阵阵元的最大外径受到限制，这使得致环阵在波束方向上不是所有采集点都具有良好聚焦，从而导致接收灵敏度及横向分辨率变差。因此，在满足环阵探头的环阵阵元数量以及环阵阵元的最大外径的限制条件下，如何在保证轴向分辨率不变的前提下，提高要求的声场范围的横向分辨率和接收灵敏度成了环阵探头制备的重大问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种双模态聚焦的环阵探头的制备方法及环阵探头。

本发明所采用的技术方案如下：

一种双模态聚焦的环阵探头的制备方法，其包括：

确定所需制备的环阵探头的基本参数，并根据所述基本参数确定阵元类型门限值；

根据所述环阵类型门限值确定所需制备的环阵探头的阵元类型，其中，所述阵元类型包括平面阵元和凹面阵元；

采用所述阵元类型的阵元，并按照基本参数制备环阵探头。

所述双模态聚焦的环阵探头的制备方法，其中，所述确定所需制备的环阵探头的基本参数，并根据所述基本参数确定阵元类型门限值具体包括：

确定所需制备的环阵探头的基本参数，并提取预存的初始参数；

根据所述基本参数以及所述初始参数，并按照预设方式计算阵元类型门限值。

所述双模态聚焦的环阵探头的制备方法，其中，所述基本参数包括压电体外径、阵元环数、声场覆盖范围以及工作频率。

所述双模态聚焦的环阵探头的制备方法，其中，所述预设方式为：

阵元门限值＝(压电体外径/压电体外径阈值)*(阵元环数/阵元环数阈值)*(工作频率/工作频率阈值)*转换系数。

所述双模态聚焦的环阵探头的制备方法，其中，所述转换系数为1.4-1.6中任一数值。

所述双模态聚焦的环阵探头的制备方法，其中，所述根据所述环阵类型门限值确定所需制备的环阵探头的阵元类型具体包括：

将所述阵元类型门限值与预设阈值进行比较；

若所述阵元类型门限值小于等于预设阈值，则选取凹面阵元；

若所述环阵类型门限值大于预设阈值，则选取平面阵元。

所述双模态聚焦的环阵探头的制备方法，其中，所述预设阈值为1。

所述双模态聚焦的环阵探头的制备方法，其中，所述采用所述阵元类型的阵元，并按照基本参数制备环阵探头具体包括：

当所述阵元类型为凹面阵元后，根据基本参数确定选取凹面阵元的各环阵元晶片，其中，各环阵元晶体的环面的面积相等；