[发明专利]基于微米尺度周期单元的电路模拟吸收体有效
| 申请号: | 201910568095.X | 申请日: | 2019-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN110277649B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
| 发明(设计)人: | 吴文;杨晓寒;宗志园;陈彬;顾文华;方大纲 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
| 主分类号: | H01Q17/00 | 分类号: | H01Q17/00 |
| 代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 马鲁晋 |
| 地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 微米 尺度 周期 单元 电路 模拟 吸收体 | ||
1.一种基于微米尺度周期单元的电路模拟吸收体,其特征在于,包括底板(1)、设置在底板(1)上的介质层(2)以及在介质层(2)上二维等间距排布的周期结构单元(3),所述底板(1)为金属膜或者金属栅格;所述介质层(2)为单层或多层;所述周期结构单元(3)的谐振频率在吸收频带的带外高频,工作频率在60GHz以下,所述周期结构单元(3)均为线宽小于100μm的金属线条,且其长宽均小于1mm。
2.根据权利要求1所述的基于微米尺度周期单元的电路模拟吸收体,其特征在于,当底板(1)为金属膜时,其电导率通过仿真得到的S11参数确定,指标为入射波全反射;当底板(1)为金属栅格时,其尺寸由透光率要求确定,确定公式为:
其中,a是金属栅格周期边长,g是金属栅格线宽;
金属栅格电导率通过仿真得到的S11参数确定,指标为入射波全反射。
3.根据权利要求1所述的基于微米尺度周期单元的电路模拟吸收体,其特征在于,所述周期结构单元(3)的厚度通过方阻与电导率和厚度之间的关系确定,确定公式为:其中,R为方阻值,d为导电薄膜厚度,σ为导电薄膜电导率。
4.根据权利要求1所述的基于微米尺度周期单元的电路模拟吸收体,其特征在于,所述周期结构单元(3)的材料为有耗膜材料。
5.根据权利要求1或4任一所述的基于微米尺度周期单元的电路模拟吸收体,其特征在于,所述周期结构单元(3)的材料为有耗纳米银线。
6.根据权利要求1所述的基于微米尺度周期单元的电路模拟吸收体,其特征在于,所述周期结构单元(3)为方形、圆形、六边形或Y形。
7.根据权利要求1所述的基于微米尺度周期单元的电路模拟吸收体,其特征在于,所述周期结构单元(3)为镂空的方形环贴片,所述金属栅格底板由若干方形栅格贴片构成,每个周期结构单元与一个方形栅格贴片一一对应设置。
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