[发明专利]采用射频激励场发射电子束的冷阴极电子枪

权利要求书

1.一种采用射频激励场发射电子束的冷阴极电子枪，包括阴极腔体及射频输入端口，设于阴极腔体轴心线位置的内导体，其特征在于作为阴极头的内导体端部的外环面为圆弧形环面、以避免尖端放电，在内导体的上端沿轴线方向还依次间隔设有聚焦极及阳极，在阴极腔体下部还设有带排气孔的座体,以及设于聚焦极、阳极、阴极腔体及座体外侧的上、下壳体，在下壳体底部还设有密封板；射频输入端口穿过下壳体及阴极腔体的下侧腔体，其中的射频导入杆则进入内腔并嵌入内腔底部，射频输入端口本体则通过密封固定座与下壳体密封固定；阴极腔体通过座体与下壳体固定成一体，聚焦极、阳极则分别通过聚焦极支撑环及阳极支撑环与上壳体密封固定，并通过设于各相应支撑环上的电源接头与外电源连接。

2.按权利要求1所述采用射频激励场发射电子束的冷阴极电子枪，其特征在于聚焦极与阴极头发射面之间的轴向距离为0.1～20mm，阳极与阴极头发射面之间的轴向距离为10-30mm。

3.按权利要求1所述采用射频激励场发射电子束的冷阴极电子枪，其特征在于所述阴极头为与内导体端头可拆卸式联接的组合式阴极头，在阴极头的端面上还设有场增强因子大于100的电子发射层。

4.按权利要求3所述采用射频激励场发射电子束的冷阴极电子枪，其特征在于所述场增强因子大于100的电子发射层为碳纳米管层、石墨烯层、硅纳米线层、氧化锌纳米线层、或钼尖阵列层。

5.按权利要求1所述采用射频激励场发射电子束的冷阴极电子枪，其特征在于所述射频输入端口包括端口连接头，端口固定座，射频导入杆。

6.按权利要求1所述采用射频激励场发射电子束的冷阴极电子枪，其特征在于在上壳体的端口处还设有一连接用法兰环。