[发明专利]硅基波长快速切换外腔激光器在审
| 申请号： | 201910567725.1 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110289546A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 周林杰;郭宇耀;陆梁军;陈建平;付志明;陆建鑫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;中兴光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光开关 窄通带 滤波器 外腔激光器 快速切换 波长 硅基 热光移相器 输出耦合器 反射镜 输出端 光路 反射型半导体光放大器 光斑尺寸转换器 调谐 高速切换开关 电光移相器 激光器波长 滤波器集成 自由光谱区 波分复用 外腔反馈 相位误差 应用需求 自由光谱 反馈 输入端 移相器 两组 更正 | ||
1.一种硅基波长快速切换外腔激光器，其特征在于：包括反射型半导体光放大器(RSOA)、光斑尺寸转换器、输出耦合器、2×2光开关、两个移相器、两个窄通带滤波器和两个反射镜，所述的反射型半导体光放大器的输出端连接所述的光斑尺寸转换器的输入端，该光斑尺寸转换器的输出端依次连接输出耦合器和2×2光开关的一个输入端，该2×2光开关的两个输出端均通过移相器后连接一个窄通带滤波器和一个反射镜。
2.如权利要求1所述的硅基波长快速切换外腔激光器，其特征在于：所述的反射型半导体光放大器的一端具有高反射率(反射率≥90％),另一端具有低反射率(反射率≤0.005％)，低反射率端与光斑尺寸转换器相连。
3.如权利要求1所述的硅基波长快速切换外腔激光器，其特征在于，所述光斑尺寸转换器采用倒锥耦合器、悬空波导耦合器等结构。
4.如权利要求1所述的硅基波长快速切换外腔激光器，其特征在于，所述输出耦合器，采用定向耦合器、绝热定向耦合器等结构。
5.如权利要求1所述的硅基波长快速切换外腔激光器，其特征在于，所述移相器采用热光移相器。
6.如权利要求1所述的硅基波长快速切换外腔激光器，其特征在于，所述的2×2光开关由等臂的2×2马赫-增德尔干涉器(MZI)构成，所述的2×2马赫-增德尔干涉器的两臂均包括热光移相器和电光移相器，所述的热光移相器用于弥补工艺误差引起的相位偏移，所述的电光移相器实现快速光路切换。
7.如权利要求1所述的硅基波长快速切换外腔激光器，其特征在于：所述反射镜为萨尼亚克(Sagnac)反射环或布拉格光栅等结构。
8.如权利要求1所述的硅基波长快速切换外腔激光器，其特征在于：除反射型半导体光放大器外的其余部件都可由硅波导实现，反射型半导体光放大器和硅芯片可以通过对接耦合、倒装耦合或键合等方式进行对准。
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