[发明专利]一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

说明书

本发明提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，所述装置包括传送带，在传送带的输送方向上，依次设置第一清洗区、翻面区及第二清洗区，在第一清洗区，传送带的上方设有用于向传送带上的晶圆的第一表面喷射清洗液的第一喷嘴，在第二清洗区，传送带的上方设有用于向晶圆的与第一表面相背的第二表面喷射清洁剂的第二喷嘴，在翻面区设置有用于将晶圆翻面的翻面机构。本发明通过喷嘴将清洗液喷射至晶圆表面，代替传统机械式清洗方式，可减少由此所产生的对晶圆表面的擦伤等，提高产品表面品质，且将现有晶圆批式清洗方法变更为单一晶片式方法，缩短清洗工程待机时间，缩短周期，提高生产性；通过双面清洗，提高清洗力度，提高品质和提高生产性。

技术领域

本发明涉及半导体材料制造领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。

背景技术

作为半导体元件制造的材料，硅晶圆(Si wafer)被广泛应用。硅晶圆是在硅表面生长同种硅的晶圆。硅晶圆因其使半导体集成化的区域的纯度及结晶特性优秀，且有利于半导体器件(device)的收率及元件特性而被广为利用。

通常，完成研磨(Lapping)的晶圆(Wafer)的表面被研磨油(Lapping oil)及粉(Powder)的淤渣(Sludge)污染。当以该状态进行下一个工程时，除了晶圆表面的擦伤(Scratch)外，研磨粉(Lapping powder)成分中金属成分可能会污染下一工程的装备，因而，研磨结束后，残留于晶圆表面的污染物质应尽量去除。

在相关技术中，为去除研磨后粘附于晶圆表面的淤渣，将研磨工程结束后的晶圆放入浸于水系槽(Bath)的匣(Cassette)内，对于达到一定数量的晶圆，使晶圆沉淀于含有表面活性剂成分的清洁剂槽或用上下刷子(Brush)去除粘附于晶圆表面的研磨粉。

在这种情况下，随着时间的经过，表面活性剂的作用下降，并且，以尼龙为主成分的刷子与晶圆表面的直接机械摩擦，会对晶圆表面引起擦伤等，从而使晶圆表面品质恶化；另一方面，还存在需要管理刷子的使用期间所对应的寿命(Life time)的问题；此外，用上刷(Upper Brushing)去除的研磨粉会流淌至位于下侧的下刷(Lower brush)，而这也成为可能对晶圆表面引起擦伤的又一原因。

由此可见，通过现有的机械式清洗方式，不但难以去除晶圆的边缘(Edge)等部分的有效的污染物，而且含表面活性剂的槽(Bath)的清洗液的管理中也存在较多困难。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，能够提高清洗力度，使得晶圆表面清洗效果最大化，提高产品品质和生产效率。

本发明所提供的技术方案如下：

一种晶圆清洗装置，包括用于承载及输送晶圆的传送带，在所述传送带的输送方向上，所述装置依次设置有：用于对所述晶圆的第一表面进行清洗的第一清洗区、用于将晶圆翻面的翻面区、及用于对所述晶圆的第二表面进行清洗的第二清洗区，其中，所述第一表面和所述第二表面为相背的两个表面，在所述第一清洗区，所述传送带的上方设有用于向所述传送带上的所述晶圆的第一表面喷射清洗液的第一喷嘴，在所述第二清洗区，所述传送带的上方设有用于向所述晶圆的与所述第一表面相背的第二表面喷射清洁剂的第二喷嘴，在所述翻面区设置有用于将所述晶圆翻面的翻面机构。

进一步的，所述清洗液为纯水与表面活性剂混合的混合液，其中所述纯水与所述表面活性剂的质量比为(20～30):1，且所述喷嘴的喷射角为60～70°。

进一步的，在所述第一清洗区、所述第二清洗区和所述翻面区分别单独设有防溅射罩体。

进一步的，所述第一清洗区、所述第二清洗区和所述翻面区对应位置分别设有回收槽，用于回收所述清洗液。

进一步的，所述翻面区的防溅射罩体内还设有喷雾机构，用于向所述翻面机构上的晶圆喷雾。