[发明专利]利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的方法及装置

权利要求书

1.一种利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的方法，包括如下步骤：

S1、使待测半导体碳化硅衬底的第一侧面的气压小于第二侧面的气压以形成气压差；

S2、在所述第二侧面施加检测用气体，检测透过所述半导体碳化硅衬底至所述第一侧面一侧的所述检测用气体的量，

若透过所述第一侧面的所述检测用气体的量上升，则判断所述待测半导体碳化硅衬底存在大尺寸微管；

若透过所述第一侧面的所述检测用气体的量不变，则判断所述待测半导体碳化硅衬底不存在大尺寸微管；

所述大尺寸微管为直径15μm以上的微管，优选为直径18μm以上的微管，更优选为直径20μm以上的微管。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述检测用气体为小分子气体⁴He、³He或H₂，优选⁴He。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述第一侧面的气压为负压，所述第二侧面的气压为正常大气压；

优选的，所述负压的压强为10^-1～10³Pa，优选10^-1～10Pa，更优选1Pa；

优选的，所述半导体碳化硅衬底的厚度为200～1000μm，优选300～600μm；

优选的，所述半导体碳化硅衬底的形状为圆形或方形；

优选的，所述半导体碳化硅衬底的直径或边长为2英寸以上。

4.如权利要求1—3中任一所述的方法，其特征在于：所述方法使用权利要求5—10中任一所述的利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的装置进行。

5.一种利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的装置，其特征在于：其包括：样品吸附单元、抽真空装置、和特定气体检漏仪；

所述样品吸附单元与所述抽真空装置通过真空管道连通；所述特定气体检漏仪连通于所述真空管道上；

所述样品吸附单元包括真空吸盘，所述真空吸盘包括所述半导体碳化硅衬底的吸附区域和连通所述吸附区域和所述真空管道的通孔，

所述吸附区域上设与所述半导体碳化硅衬底边缘匹配的密封圈；

优选的，所述吸附区域水平朝上设置，所述通孔位于所述吸附区域的中部。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于：所述真空管道设密闭真空腔体；优选的，所述密闭真空腔体设于所述样品吸附单元与所述特定气体检漏仪之间的所述真空管道；

优选的，所述密闭真空腔体的容积为1—5L，优选2L。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：所述真空管道设与大气连通的气阀；优选的，所述气阀设于所述密闭真空腔体处。

8.如权利要求5—7中任一所述的装置，其特征在于：所述吸附区域上设周长小于或等于所述半导体碳化硅衬底直径的环形凹槽，所述密封圈设于所述环形凹槽内。

9.如权利要求5—8中任一所述的装置，其特征在于：所述真空管道呈T型排布，所述T型排布包括横向分支和垂直于所述横向分支的垂直分支，所述样品吸附单元和所述特定气体检漏仪分别位于所述横向分支的两个末端，所述抽真空装置位于所述垂直分支的末端；

优选的，所述T型排布与水平面平行，所述T型的分支处至所述样品吸附单元的管道设为真空波纹管，所述T型的分支处至所述抽真空装置的管道依次设为真空波纹管和弯头接头，所述T型的分支处至所述特定气体检漏仪的管道设为弯头接头。

10.如权利要求5—9中任一所述的装置，其特征在于：所述真空管道的每个管口连接处设真空卡箍，每个所述真空卡箍中的所述管口连接的位置处外套设管路密封O圈。