[发明专利]铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板

说明书

本申请公开了一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锌前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的镓前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的铟前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；重复预设次数上述的步骤以形成铟镓锌氧化物薄膜。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。

背景技术

显示面板近年来得到了飞速地发展和广泛地应用。就主流市场上的TFT-LCD(ThinFilm Transistor-LCD，薄膜晶体管液晶显示屏)而言，包括阵列基板和彩膜基板，在阵列基板上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管控制像素电极的开关，薄膜晶体管打开时，像素电极产生电压，使得液晶分子发生偏转，显示画面。

在形成薄膜晶体管时，现在的有源层一般使用铟镓锌氧化物材料，铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide)为新一代薄膜晶体管技术中的有源层材料，是金属氧化物(Oxide)面板技术的一种。它具有迁移率高、均一性好、透明、制作工艺简单等优点，但是生产中，由于铟镓锌氧化物稳定性较差，导致出产的显示面板良率较低的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，提高铟镓锌氧化物稳定性。

本申请公开了一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法，包括：

形成氧化锌层的步骤：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锌前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；

形成氧化镓层的步骤：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的镓前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；

形成氧化铟层的步骤：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的铟前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；

重复预设次数的形成氧化锌层的步骤，形成氧化镓层的步骤和形成氧化铟层的步骤以形成铟镓锌氧化物薄膜。

可选的，所述锌前驱体包括二甲基锌、二乙基锌和氯化锌的至少一种，所述镓前驱体包括三甲基镓、三甲胺基镓、二甲胺基镓和氯化镓的至少一种，所述铟前驱体包括三甲基铟、环戊二烯铟和氯化铟的至少一种，所述氧前驱体包括水、臭氧和氧气中的至少一种；所述惰性气体包括氩气和氦气的至少一种。

可选的，所述二甲基锌、三甲基镓、三甲基铟和水的持续通入预设时间在0.01秒至0.2秒之间；所述二甲基锌、三甲基镓、三甲基铟和水通入的速率在5标准毫升/分钟至30标准毫升/分钟之间。

可选的，所述二甲基锌、三甲基镓、三甲基铟和水的停留预设时间在2秒至20秒之间。

可选的，所述二甲基锌的通入预设时间设置为0.02s；所述三甲基镓的通入预设时间设置为0.03s；所述三甲基铟的通入预设时间设置为0.02s；所述水的通入预设时间设置为0.02s。

可选的，所述二甲基锌的停留预设时间、所述三甲基镓的停留预设时间、所述三甲基铟的停留预设时间、所述水的停留预设时间均设置为5s。

可选的，所述原子层沉积装置的预设工作温度在150摄氏度至250度摄氏度之间。