[发明专利]一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910561634.7 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110277411B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 陶宝生;熊志勇;范刘静;朱见杰 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 有机 电致发光 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,具有显示区域,所述显示区域分为弯折区域和非弯折区域;所述弯折区域具有沿第一方向延伸的弯折轴;
所述显示区域内具有位于衬底基板上的呈阵列排布的多个像素电路,以及多条沿着所述第一方向延伸且沿第二方向排列的电源电压信号线,所述第一方向和所述第二方向相互垂直;各所述像素电路包括电容,所述电容的第一电极块与所述电源电压信号线电连接,所述第一电极块的一侧表面与第一无机绝缘层相邻,所述第一电极块的另一侧表面与第二无机绝缘层相邻;
在所述非弯折区域内,沿着所述第二方向相邻的两个所述第一电极块之间的第一间隔区域内,所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间具有第一接触面积;
在所述弯折区域内,至少部分沿着所述第二方向相邻的两个所述第一电极块之间的第二间隔区域内,所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间具有第二接触面积;
所述第一间隔区域的面积等于所述第二间隔区域的面积;所述第一接触面积小于所述第二接触面积。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述弯折区域内,至少部分沿着所述第二方向相邻的两个所述第一电极块之间相互断开;在断开位置处,所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间相互接触。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在靠近所述弯折轴的单位面积区域内,相互断开的第一电极块具有第一数量;在远离所述弯折轴的单位面积区域内,相互断开的第一电极块具有第二数量,所述第一数量大于所述第二数量。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,靠近所述弯折轴的两个所述第一电极块之间相对的侧边具有第一最短距离,远离所述弯折轴的两个所述第一电极块之间相对的侧边具有第二最短距离,所述第一最短距离大于所述第二最短距离。
5.如权利要求2-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,在所述非弯折区域内,沿着所述第二方向相邻的两个所述第一电极块之间通过第一连接部导通;在所述第一间隔区域内,位于所述第一连接部位置处的所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间互不接触,位于非所述第一连接部的其他位置处的所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间相互接触。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述非弯折区域内,沿着所述第二方向相邻的两个所述第一电极块之间通过第一连接部导通;在所述第一间隔区域内,位于所述第一连接部位置处的所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间互不接触,位于非所述第一连接部的其他位置处的所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间相互接触;
在所述弯折区域内,至少部分沿着所述第二方向相邻的两个所述第一电极块之间通过第二连接部导通;在所述第二间隔区域内,位于所述第二连接部位置处的所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间互不接触,位于非所述第二连接部的其他位置处的所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间相互接触;
所述第一连接部在所述衬底基板上的正投影面积大于所述第二连接部在所述衬底基板上的正投影面积,且在所述第一间隔区域内的所述第一接触面积小于在所述第二间隔区域内的所述第二接触面积。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,至少一个所述第二连接部具有多个镂空结构,所述第二连接部内的各所述镂空结构沿着所述第一方向排列,所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间通过所述镂空结构相互接触。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接部的镂空结构为圆形、椭圆形、菱形或多边形。
9.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,靠近所述弯折轴的所述第二连接部具有第一正投影面积,远离所述弯折轴的所述第二连接部具有第二正投影面积,所述第一正投影面积小于所述第二正投影面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的