[发明专利]非易失存储器灵敏放大器及相变存储器

权利要求书

1.一种非易失存储器灵敏放大器，其特征在于，所述非易失存储器灵敏放大器至少包括：

控制模块、低功耗模块、第一读取电压模块、比较模块、低功耗匹配模块及寄生匹配模块；

所述控制模块接收外部使能信号，并基于所述外部使能信号产生第一控制信号及第二控制信号，分别控制所述低功耗模块和所述第一读取电压模块的工作状态；

所述低功耗模块连接所述控制模块及所述比较模块，用于在所述外部使能信号失效时关闭所述比较模块；

所述第一读取电压模块连接所述控制模块及存储阵列，用于在所述外部使能信号起效时读取所述存储阵列中被选中存储单元的读取电流并转化为第一读取电压；

所述比较模块连接所述第一读取电压模块及所述低功耗模块，并接收第一读参考电压，用于在所述外部使能信号起效时将所述第一读取电压与所述第一读参考电压比较进而得到读出电压信号；

所述低功耗匹配模块连接所述寄生匹配模块，所述低功耗匹配模块用于对所述低功耗模块进行电压匹配，所述寄生匹配模块用于抵消所述比较模块中晶体管栅极的寄生效应。

2.根据权利要求1所述的非易失存储器灵敏放大器，其特征在于：所述控制模块包括第一反相器及第二反相器；所述第一反相器的输入端接收所述外部使能信号，输出第一控制信号；所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端，输出第二控制信号。

3.根据权利要求1所述的非易失存储器灵敏放大器，其特征在于：所述低功耗模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的源极连接电源电压，栅极连接所述第一控制信号，漏极分别连接所述比较模块；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管的尺寸相同。

4.根据权利要求3所述的非易失存储器灵敏放大器，其特征在于：所述低功耗匹配模块包括第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极连接电源电压，栅极连接所述第一控制信号，漏极连接所述寄生匹配模块，所述第五PMOS管与所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管的尺寸相同。

5.根据权利要求1所述的非易失存储器灵敏放大器，其特征在于：所述第一读取电压模块包括传输门、第一NMOS管及第六PMOS管；所述传输门的输入端连接钳位电压、控制端连接所述第二控制信号；所述第一NMOS管的源极连接所述存储阵列，所述第一NMOS管的栅极连接所述传输门的输出端，所述第一NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极；所述第六PMOS管的源极连接电源电压，所述第六PMOS管的栅极与漏极连接并输出所述第一读取电压。

6.根据权利要求1所述的非易失存储器灵敏放大器，其特征在于：所述比较模块包括第一电流转换模块、第二电流转换模块及比较器；所述第一电流转换模块连接所述低功耗模块及所述第一读取电压，当所述外部使能信号起效时将所述第一读取电压转换为第二读取电压；所述第二电流转换模块连接所述低功耗模块及所述第一读参考电压，当所述外部使能信号起效时将所述第一读参考电压转换为第二读参考电压；所述比较器连接所述低功耗模块、所述第一电流转换模块及所述第二电流转换模块，当所述外部使能信号起效时将所述第一读取电压与所述第一读参考电压、所述第二读取电压与所述第二读参考电压进行比较得到读出电压信号；其中所述第一电流转换模块与所述第二电流转换模块等比例转换。