[发明专利]一种有效提高NAND启动使用寿命的方法及其系统在审

专利信息
申请号: 201910560934.3 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN110297604A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 刘坚;冯元元;臧鑫 申请(专利权)人: 深圳忆联信息系统有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 巫苑明
地址: 518067 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 读取 固定地址 使用寿命 校验 存储地址 地址信息 固态硬盘 芯片启动 引导程序 初始化 返回 备份 擦写 两级 映射 读出 芯片 成功
【权利要求书】:

1.一种有效提高NAND启动使用寿命的方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1,芯片启动,完成初始化;

S2,从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息;

S3,判断读取是否成功;若是,进入S5;若否,则进入S4;

S4,选取固定地址X0的下一个固定地址Xn进行读取,并返回S3;

S5,从读出的地址中读取引导程序,并进行校验;

S6,判断校验是否成功;若是,进入S7;若否,则返回S4;

S7,运行固件。

2.根据权利要求1所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法,其特征在于,所述S1包括:

S11,进行芯片启动;

S12,完成初始化。

3.根据权利要求1所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法,其特征在于,所述S4之后,还包括:判断下一个固定地址Xn是否为最后一个固定地址;若是,返回S3;若否,则选取下一个固定地址Xn的后续地址进行读取,并返回S3。

4.根据权利要求3所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法,其特征在于,所述S4之后,还包括:判断固定地址Xn是否读取成功;若是,进入S5;若否,则对存储固件的位置进行修改。

5.根据权利要求4所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法,其特征在于,所述S5之后,还包括:判断从固定地址Xn中读取的引导程序是否校验成功;若是,运行固件;若否,则对存储固件的位置进行修改。

6.根据权利要求4所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法,其特征在于,所述Xn中的n至少大于等于2。

7.一种有效提高NAND启动使用寿命的系统,其特征在于,包括:启动完成单元,读取单元,第一判断单元,选取单元,校验单元,第二判断单元,及运行单元;

所述启动完成单元,用于芯片启动,完成初始化;

所述读取单元,用于从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息;

所述第一判断单元,用于判断读取是否成功;

所述选取单元,用于选取固定地址X0的下一个固定地址进行读取;

所述校验单元,用于从读出的地址中读取引导程序,并进行校验;

所述第二判断单元,用于判断校验是否成功;

所述运行单元,用于运行固件。

8.根据权利要求7所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的系统,其特征在于于,所述启动完成单元包括启动模块和完成模块;

所述启动模块,用于芯片启动;

所述完成模块,用于完成芯片初始化。

9.根据权利要求7所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的系统,其特征在于,还包括第三判断单元,用于判断下一个固定地址Xn是否为最后一个固定地址。

10.根据权利要求9所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的系统,其特征在于,还包括:第四判断单元和第五判断单元;

所述第四判断单元,用于判断固定地址Xn是否读取成功;

所述第五判断单元,用于判断从固定地址Xn中读取的引导程序是否校验成功。

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