[发明专利]用于半导体制造设备的气体管路控制装置

说明书

本公开提供了一种用于半导体制造设备的气体管路控制装置，半导体制造设备包括处理气体供给管路、处理气体排出管路和保护气体供给管路，所述气体管路控制装置包括：保护气体供给阀，设置在保护气体供给管路中，被配置为在保护气体供给阀处于打开状态时，使得保护气体供给管路与处理气体排出管路处于连通状态，以向处理气体排出管路供给保护气体，以及在保护气体供给阀处于关断状态时，使得保护气体供给管路与处理气体排出管路处于非连通状态，以禁止向处理气体排出管路供给保护气体；以及第一控制开关，被配置为在接收到保护气体供给信号时，使保护气体供给阀处于打开状态，并且在未接收到保护气体供给信号时，使保护气体供给阀处于关断状态。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及用于半导体制造设备的气体管路控制装置。

背景技术

在半导体制造过程中，有些半导体制造设备需要使用处理气体来完成相应工序的处理。在设备处理之后的废气需要通过处理气体排出管路来排出。而这些处理气体本身或其在完成相应工序的处理之后产生的废气中会含有易燃易爆气体。在处理气体排出管路中，如果易燃易爆气体浓度过高，则可能会燃烧爆炸而带来安全隐患。因此，现有技术中通过常是在处理气体排出管路持续供给保护气体(如N2)，以稀释易燃易爆气体，使易燃易爆气体的浓度低于燃烧爆炸极限。然而，现有技术中通常是不间断地供给保护气体，因而会消耗大量的保护气体，导致制造成本上升。

发明内容

鉴于上述，本公开提供了一种用于半导体制造设备的气体管路控制装置。利用该装置，通过利用第一控制开关来控制保护气体供给阀，以在不需要供给保护气体时关断保护气体供给管路，禁止供给保护气体，从而能够节省保护气体的使用量。

根据本公开的一个方面，提供了一种用于半导体制造设备的气体管路控制装置，所述半导体制造设备包括处理气体供给管路、处理气体排出管路和保护气体供给管路，所述气体管路控制装置包括：保护气体供给阀，设置在所述保护气体供给管路中，被配置为在所述保护气体供给阀处于打开状态时，使得所述保护气体供给管路与所述处理气体排出管路处于连通状态，以向所述处理气体排出管路供给保护气体，以及在所述保护气体供给阀处于关断状态时，使得所述保护气体供给管路与所述处理气体排出管路处于非连通状态，以禁止向所述处理气体排出管路供给保护气体；以及第一控制开关，与所述保护气体供给阀电连接，被配置为在接收到保护气体供给信号时，使得所述保护气体供给阀处于打开状态，并且在未接收到保护气体供给信号时，使得所述保护气体供给阀处于关断状态。

可选的，在一个示例中，所述保护气体供给信号可以包括处理气体供给信号或者处理气体排出信号。

可选的，在一个示例中，在所述保护气体供给信号包括处理气体供给信号时，所述气体管路控制装置可以包括：处理气体供给检测器，设置在所述处理气体供给管路中，被配置为检测所述处理气体供给管路中是否存在处理气体供给。其中，所述处理气体供给检测器可以与所述第一控制开关电连接，并且在所述处理气体供给检测器检测到所述处理气体供给管路中存在处理气体供给时，向所述第一控制开关提供所述处理气体供给信号。

可选的，在一个示例中，所述半导体制造设备还可以包括处理气体供给控制阀，设置在所述处理气体供给管路中，所述处理气体供给信号包括所述处理气体供给控制阀的打开状态信号。

可选的，在一个示例中，在所述保护气体提供状态信号包括处理气体排出信号时，所述气体管路控制装置可以包括：处理气体排出信号检测器，设置在所述处理气体排出管路中，被配置为在检测到所述处理气体供给管路中存在排出气体时，生成所述处理气体排出信号。

可选的，在一个示例中，所述第一控制开关可以被配置为：在未接收到所述保护气体供给信号时，延时第一预定时间后，使得所述保护气体供给阀处于关断状态。