[发明专利]一种多芯片LED器件封装方法及系统

权利要求书

1.一种多芯片LED器件封装方法，其特征在于，包括：

建立目标优化函数；所述目标优化函数是以多芯片LED器件内部芯片之间的横向间距和纵向间距为优化变量，以多芯片LED器件平均温度最小和多芯片LED器件努塞尔值最小为目标建立的函数；

初始化染色体集合；所述染色体集合包括多个染色体，一个所述染色体代表一组多芯片LED器件的几何结构参数，且每个所述染色体代表不同的多芯片LED器件的几何结构参数；

根据所述目标优化函数和所述染色体集合，采用遗传算法迭代计算多芯片LED器件的最优几何结构参数；

判断所述最优几何结构参数是否在多芯片LED器件的实际几何结构参数范围内，得到第一判断结果；

若所述第一判断结果表示所述最优几何结构参数在多芯片LED器件的实际几何结构参数范围内，则采用所述最优几何结构参数封装多芯片LED器件；

若所述第一判断结果表示所述最优几何结构参数未在多芯片LED器件的实际几何结构参数范围内，则返回初始化染色体集合步骤；

所述目标优化函数为

其中，N表示多芯片LED器件内部芯片的个数，T_i表示第i芯片的结温，Nu_D表示多芯片LED器件的努塞尔值；

多芯片LED器件内部芯片个数的计算公式为

其中，L₁表示多芯片LED器件热沉衬底的长度，L₂表示多芯片LED器件热沉衬底的宽度，X_t表示多芯片LED器件内部相邻芯片在横轴方向的间距，X_l表示多芯片LED器件内部相邻芯片在纵轴方向的间距；

多芯片LED器件努塞尔值的计算公式为Nu_D＝ΦNu_D¹；

其中，Φ表示多芯片LED器件内部结构系数，表示为Ψ表示节距系数，表示为P_T表示多芯片LED器件内部芯片之间的横向间距，表示为P_T＝X_t/D；P_L表示多芯片LED器件内部芯片之间的纵向间距，表示为P_L＝X_l/D；D表示多芯片LED器件内部任意芯片的直径；

Nu_D¹表示第一行的努塞尔值，表示为Re_D表示雷诺值，表示为表示平均速度，v表示运动粘度，V₀表示空气速度，表示质量流率，ρ表示密度，A_c表示横截面积；P_r表示普朗特值，表示为c_p表示比热容，μ表示动力粘度，k表示热导率；

多芯片LED器件内部芯片结温的计算公式为

；

其中，表示第n芯片的自身热阻，表示第1芯片和第n芯片之间的耦合热阻，P_n表示第n芯片的热功耗，T_C表示多芯片LED器件的壳温，T_Jn表示第n芯片的结温。

2.根据权利要求1所述的一种多芯片LED器件封装方法，其特征在于，所述根据所述目标优化函数和所述染色体集合，采用遗传算法迭代计算多芯片LED器件的最优几何结构参数，具体包括：

随机选择上一次迭代染色体集合中的染色体，并对选择出来的染色体进行交叉变异处理，得到当前迭代染色体集合；

根据所述目标优化函数，计算所述当前迭代染色体集合中每个染色体的目标值；

判断差值是否小于设定误差值，得到第二判断结果；所述差值为所述目标值与设定测试值的差；

若所述第二判断结果表示所述差值小于设定误差值，则将所述差值小于设定误差值的染色体确定为最优解；

若所述第二判断结果表示所有所述差值均不小于设定误差值，则判断当前迭代次数是否等于迭代总数，得到第三判断结果；

若所述第三判断结果表示当前迭代次数等于迭代总数，则将最小差值的染色体确定为最优解；

若所述第三判断结果表示当前迭代次数不等于迭代总数，则将当前迭代次数加1，将当前迭代染色体集合替换上一次迭代染色体集合，返回随机选择上一次迭代染色体集合中的染色体，并对选择出来的染色体进行交叉变异处理，得到当前迭代染色体集合步骤。