[发明专利]用于清洁静电吸盘的工具与方法有效
申请号: | 201910553631.9 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110813918B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 杨岳霖;廖啟宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B08B5/04 | 分类号: | B08B5/04;B08B7/00;B08B7/02;B08B13/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 清洁 静电 吸盘 工具 方法 | ||
一种用于清洁静电吸盘的工具及方法。方法包含传送辐射至静电吸盘、接收辐射的反射、分析辐射的反射、基于分析辐射的反射来判定静电吸盘上是否存在颗粒以及当判定颗粒存在时将清洁工具移动至静电吸盘上颗粒的位置。
技术领域
本揭露是有关用于清洁的工具及方法,且特别是有关用于清洁静电吸盘的工具及方法。
背景技术
迄今半导体集成电路(integrated circuit,IC)工业已经历了指数式增长。集成电路中材料和设计的技术进步已经产生了多代集成电路,其中每一代集成电路皆具有比上一代更小和更复杂的电路配置。然而,透过半导体光刻制程图案化的最小特征尺寸是基本上受到投射辐射源的波长的限制。为了使特征尺寸改善得比以往更小,半导体产业已经引入了极紫外线(extreme ultraviolet,EUV)辐射源和相关的半导体光刻制程。在极紫外线半导体光刻制程期间,静电吸盘(electrostatic chuck,也称之为R-chuck、E-chuck或ESC)被配置以透过静电力保持一反射型光罩,使得极紫外线半导体光刻制程可以将反射型光罩上的图案光学地转印到晶圆上。
发明内容
根据本揭露的一或多种实施方式,本揭露提供一种方法包含传送辐射至静电吸盘、接收辐射的反射、分析辐射的反射、基于分析辐射的反射来判定静电吸盘上是否存在颗粒以及当判定颗粒存在时将清洁工具移动到静电吸盘上颗粒的位置。
根据本揭露的一或多种实施方式,本揭露提供一种方法包含使清洁工具的平台移向静电吸盘、使用清洁工具的平台以从静电吸盘释放颗粒以及在从静电吸盘释放颗粒后使用与排气管道气体连通的真空源将颗粒从平台上方吸入围绕平台的排气管道中。
根据本揭露的一或多种实施方式,本揭露提供一种清洁工具包含可旋转平台、马达、壳体以及真空源。可旋转平台具有侧壁和顶表面。马达配置以致动可旋转平台的三维运动。壳体围绕可旋转平台并且不覆盖可旋转平台的顶表面。壳体和可旋转平台的侧壁定义出围绕可旋转平台的排气管道。真空源连接至排气管道。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意,根据工业中的标准实践,各种特征未按比例绘制。实际上,为了清楚讨论,可以任意增加或减少各种特征的尺寸。
图1为绘示根据本揭露的一些实施例中静电吸盘清洁工具的正视示意图;
图2A和图3A为绘示根据本揭露的一些实施例中静电吸盘清洁工具的光学检查仪器的示意图;
图2B和3B分别为根据图2A和图3A所描绘的折线图;
图4至图6为绘示根据本揭露的一些其他实施例中静电吸盘清洁工具的正视示意图;
图7A至图7C为绘示根据本揭露的一些实施例中静电吸盘清洁工具的各种清洁路径的示意图;
图8为绘示根据本揭露的一些实施例中用于清洁静电吸盘上的颗粒的方法流程图;
图9为图8中的操作S10b的流程图;
图10为绘示根据本揭露的一些其他实施例中用于清洁静电吸盘上的颗粒的方法流程图。
【符号说明】
CN:通道
D1:间隔距离
DR:虚设光罩
ESC:静电吸盘
P:颗粒
P1、P2、P3:清洁路径
PT:凸起
S10a-S10f、S11b-S15b、S20a-S20f:操作
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