[发明专利]基于硅微纳结构的水伏器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910553041.6 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110282594A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 孙宝全;秦元帅;宋涛 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 冯瑞 |
| 地址： | 215168 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微纳结构 硅片 刻蚀 制备 导电聚合物电极 制备方法和应用 湿气 物理气相沉积 湿度传感器 表面印刷 成膜工艺 功率输出 金属电极 金属辅助 新型能源 栅形电极 制备工艺 背电极 掺杂的 灵敏性 背面 应用 覆盖 转化 安全 | ||
1.一种基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一掺杂的硅片，采用金属辅助刻蚀的方法在所述硅片的正面刻蚀形成硅微纳结构；
S2、通过成膜工艺或物理气相沉积的方法，在所述硅片的背面覆盖背电极，所述背电极为金属电极或导电聚合物电极；
S3、在所述硅微纳结构的正面印刷栅形电极，即得所述水伏器件。
2.如权利要求1所述的基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述硅微纳结构为硅纳米线阵列、硅纳米孔、硅纳米棒、硅纳米线网络或硅金字塔。
3.如权利要求1所述的基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述硅片的掺杂类型为N型或P型，掺杂物质包括B，Sb，P，N。
4.如权利要求1所述的基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述掺杂硅片在刻蚀前，经HF水溶液浸泡处理。
5.如权利要求1所述的基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述金属辅助刻蚀的金属离子为Ag+，镀银液为4.8M HF和0.01M AgNO3配置的水溶液，刻蚀液为4.8M HF和0.3M H2O2配置的水溶液。
6.如权利要求1所述的基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述金属电极的材料为金或银，所述导电聚合物电极的材料为PEDOT:PSS、导电聚苯胺或银胶。
7.如权利要求1所述的基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，步骤S3中，栅形电极的材料为银胶、铜胶、银纳米线或碳糊电极。
8.如权利要求7所述的基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述银胶为SPI导电银胶。
9.如权利要求1～8任一项所述的方法制备得到的水伏器件。
10.权利要求9所述的水伏器件在湿度传感器和能源转化领域的应用。
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