[发明专利]表面增强拉曼散射微纳芯片及其制备方法、应用和拉曼光谱测试系统

权利要求书

1.一种表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，包括基底，所述基底上设置有纳米金属棒阵列，所述纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，所述纳米金属棒的两端均具有尖端结构，所述纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上负载有二硫化钼量子点；

所述二硫化钼量子点为单层结构，所述二硫化钼量子点的厚度为0.7-1.2nm，所述二硫化钼量子点的尺寸为2-4nm；

所述纳米金属棒的材质选自金、银、铝或铜中的至少一种；

所述的表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，包括如下步骤：

(a)提供固定有纳米金属棒阵列的基底，其中，纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，纳米金属棒的两端均具有尖端结构；

(b)将固定有纳米金属棒的基底浸没于二硫化钼量子点分散液中，使二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上，得到表面增强拉曼散射微纳芯片。

2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，所述纳米金属棒的长径比为2-8。

3.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，所述纳米金属棒的材质为金；

和/或，所述基底为硅片或玻璃。

4.根据权利要求1-3任一项所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，所述二硫化钼量子点的制备方法包括如下步骤：

将二硫化钼、丹宁酸和离子液体混合，获得混合液，将混合液依次进行研磨处理、超声处理和加热处理，得到二硫化钼量子点。

5.根据权利要求4所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，重复交替进行超声处理和加热处理。

6.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，在步骤(b)中，二硫化钼量子点分散液为二硫化钼量子点的水分散液。

7.根据权利要求6所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，二硫化钼量子点的水分散液中，二硫化钼量子点的浓度为0.4-0.6g/mL。

8.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，通过搅拌使二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离基底的一端的尖端结构上。

9.根据权利要求8所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，搅拌速度为400-1000rpm。

10.根据权利要求8所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，搅拌时间为2-8h。

11.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，固定有纳米金属棒阵列的基底按照如下方法制备得到：

将纳米金属棒分散液滴加到基底上，进行干燥，得到固定有纳米金属棒阵列的基底。

12.根据权利要求11所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，所述干燥为蒸发干燥。

13.根据权利要求12所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，蒸发干燥的时间为12-36h。

14.根据权利要求11所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，基底先依次进行清洗、亲水性处理以及硅烷化处理后，再在基底上滴加纳米金属棒分散液。

15.根据权利要求14所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，清洗所用试剂为乙醇和丙酮的混合液。

16.根据权利要求15所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，清洗时间为10-30min。