[发明专利]存储器装置和存储器装置的操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储块；

外围电路，该外围电路被配置为对所述多个存储块当中的所选存储块执行擦除电压施加操作、第一擦除验证操作和第二擦除验证操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为基于所述第一擦除验证操作的结果来设定擦除操作的起始擦除电压，并且当确定对所述所选存储块的所述第一擦除验证操作已通过时控制所述外围电路执行所述第二擦除验证操作，

其中，所述外围电路以所述多个存储块为单位对所述所选存储块执行所述第一擦除验证操作，并且以多个物理页为单位对所述所选存储块执行所述第二擦除验证操作。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一擦除验证操作是确定包括在所述所选存储块中的存储器单元的阈值电压是否低于第一擦除验证电压的操作，并且其中，所述第二擦除验证操作是确定所述存储器单元的阈值电压是否高于第二擦除验证电压的操作。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一擦除验证电压高于所述第二擦除验证电压。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路对所述第二擦除验证操作已失败的存储器单元执行软编程操作。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当确定所述所选存储块的所述第一擦除验证操作已失败时，所述控制逻辑通过将所述擦除电压施加操作中使用的擦除电压增大阶跃电压来重置所述擦除电压。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，当确定所述所选存储块的所述第二擦除验证操作已通过时，所述控制逻辑将最后设定的擦除电压设定为所述起始擦除电压。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括源极线驱动器，该源极线驱动器被配置为响应于源极线控制信号而将所述擦除电压施加到所述所选存储块的源极线。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括：

内部控制电路，该内部控制电路被配置为响应于命令而生成并输出内部控制信号；

擦除电压设定电路，该擦除电压设定电路被配置为存储所述擦除电压的值，并且通过基于所述第一擦除验证操作的结果和所述第二擦除验证操作的结果增大或减小所述擦除电压的值来重置并存储所述擦除电压的值；以及

源极线驱动器控制电路，该源极线驱动器控制电路被配置为根据所述内部控制信号和存储在所述擦除电压设定电路中的所述擦除电压的值来生成并输出所述源极线控制信号。

9.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，当所述软编程操作被执行设定次数时，所述控制逻辑跳过所述第二擦除验证操作。

10.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储块；

外围电路，该外围电路被配置为对所述多个存储块当中的所选存储块执行擦除电压施加操作、第一擦除验证操作、第二擦除验证操作和软编程操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为基于所述第一擦除验证操作的结果来设定擦除操作的起始擦除电压，并且基于所述第二擦除验证操作的结果来控制所述外围电路执行所述软编程操作，

其中，所述外围电路以所述多个存储块为单位对所述所选存储块执行所述第一擦除验证操作，并且以多个物理页为单位对所述所选存储块执行所述第二擦除验证操作。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，当确定所述所选存储块的所述第二擦除验证操作已失败时，所述控制逻辑控制所述外围电路对所述所选存储块执行所述软编程操作。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路以包括在所述所选存储块中的所述多个物理页为单位执行所述软编程操作。