[发明专利]一种IGBT功能复用的硬件软保护电路有效

专利信息
申请号: 201910552802.6 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN110336250B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 刘蕾;徐文祥;周政;苑红伟;张红玉 申请(专利权)人: 合肥巨一动力系统有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H03K17/082
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 230051 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 功能 硬件 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种IGBT功能复用的硬件软保护电路,其特征在于,包括:

IGBT软关断单元,包括依次连接的锁存器U2、数字隔离芯片U1、充电开关Q1和Q2;故障发生时,锁存器输出高电平,经过数字隔离芯片后,充电开关控制驱动芯片DESAT引脚充电,触发驱动芯片软关断保护,IGBT关断变缓;

副边PWM波形检测单元,采用数字隔离芯片将IGBT门极PWM信号传递回原边,DSP实时监控传递回的PWM信号占空比、周期数据是否与DSP发送的PWM信号保持一致;

驱动芯片DESAT功能检测单元,采用数字隔离芯片将DSP给定的高电平传递给充电开关,驱动副边MOS管导通给DESAT管脚充电,触发驱动芯片软关断保护;IGBT门极PWM信号通过隔离芯片反馈回原边,DSP检测该PWM信号若为低电平表明DESAT功能正常,否则为异常;

所述锁存器输出高电平依次串联的电阻R8、二极管D5输入到数字隔离芯片,数字隔离芯片输出端通过电阻R6驱动充电开关导通;充电开关包括PMOS管Q1和NMOS管Q2,NMOS管Q2的栅极连接电阻R6,漏极通过串联的电阻R3、电阻R1连接15V电压,源极接地;PMOS管Q1的栅极连接电阻R3,源极连接15V电压,漏极通过电容C9接地,电容C9连接驱动芯片DESAT引脚,15V给电容C9充电到DESAT阈值后触发驱动芯片实现软关断。

2.根据权利要求1所述的IGBT功能复用的硬件软保护电路,其特征在于,所述IGBT软关断单元还包括若干采集故障信号的二极管,各二极管阴极分别接各种故障信号输出端,阳极共接一个上拉电阻构成多输入或门,或门输出端通过滤波电路连接锁存器;所述故障信号包括至少包括过流、过压、过温、欠压,当有故障发生时对应的总故障信号为低电平,锁存器输入端也为低电平,锁存器输出高电平并锁存。

3.根据权利要求2所述的IGBT功能复用的硬件软保护电路,其特征在于,所述驱动芯片实现软关断的同时,锁存器输出的高电平连接到电平转换芯片的使能端,关闭所有的初级侧PWM信号传输,DSP同时检测该信号做相应软件处理;硬件故障触发软保护动作后,故障消除时,需要DSP给锁存器发出复位信号才能解除保护功能,复位信号经过电阻R15、电容C6滤波后输入到锁存器U2的复位端5脚。

4.根据权利要求3所述的IGBT功能复用的硬件软保护电路,其特征在于,所述副边PWM波形检测单元,在正常IGBT控制过程中,IGBT门极PWM驱动信号经过电阻R12、电阻R7分压和D2限幅后输入到数字隔离芯片U1的7脚,最后从数字隔离芯片U1的2脚输出到电阻R2,DSP通过检测电阻R2端的波形实现对副边PWM波形进行实时检测。

5.根据权利要求4所述的IGBT功能复用的硬件软保护电路,其特征在于,所述驱动芯片DESAT功能检测单元,在无高压输入前提下,低压上电后DSP发送PWM波形,同时DSP通过二极管D1给定高电平从数字隔离芯片U1的3脚输入,从6脚输出,驱动NMOS管Q2导通,从而PMOS管Q1导通,15V给电容C9充电到DESAT阈值后触发驱动芯片实现软关断;同时副边PWM波形经过电阻R12、电阻R7分压后经过数字隔离芯片、电阻R2到DSP,DSP检测该PWM信号是否被拉低,若拉低证明DESAT功能正常;若没有,证明DESAT功能异常。

6.根据权利要求3所述的IGBT功能复用的硬件软保护电路,其特征在于:所述IGBT软关断单元的软关断包括三种模式:

(1)上三桥软关断、下三桥硬关断;

(2)上三桥硬关断,下三桥软关断;

(3)三相桥全部软关断。

7.根据权利要求6所述的IGBT功能复用的硬件软保护电路,其特征在于:所述软关断三种模式中模式(1)、模式(2)对时序无要求;模式(3)需要通过配置RC延时控制时序:

1)对于上三桥先于下三桥软关断情况,必须保证上三桥软关断结束后再触发下三桥软关断;

2)对于下三桥先于上三桥软关断情况,必须保证下三桥软关断结束后再触发上三桥软关断。

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