[发明专利]MRAM底电极的制备方法

权利要求书

1.一种MRAM底电极的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底依次包括金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔，所述底部通孔与所述金属互联层相连，在所述基底表面依次覆盖有第二阻挡层和导电金属层，所述导电金属层充满所述底部通孔；

对所述导电金属层进行化学机械抛光，去除所述介质层上方的导电金属层以及第二阻挡层；

沉积底电极金属层，以填充满对所述导电金属层进行化学机械抛光后在所述底部通孔内形成的碟形凹陷；

对所述底电极金属层进行化学机械抛光，以形成表面平整的底电极金属层；

图案化所述表面平整的底电极金属层，得到MRAM底电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极金属层的材料包括TaN、Ta、TiN和Ti中的任意一种或者几种的混合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电金属层的材料包括Cu、W、Al中的任意一种或者几种的混合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料包括TaN、Ta、TiN、Ti、Co和Ru中的任意一种或者几种的混合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层的材料包括氧化硅SiO、二氧化硅SiO₂、碳氧化物CDO、氮化硅SiN、氟硅玻璃FSG、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、正硅酸乙酯TEOS、低电介质Low-K及Ultra-Low-K中的一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括氮氧硅化合物、氮化硅、碳氮化硅化合物或者碳化硅。