[发明专利]一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法

权利要求书

1.一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：

（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；

（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；

（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；

（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑基板上支撑的半导体发光元件阵列，其中支撑基板上具有阵列式或图案化的支撑结构，每一半导体发光元件包括释放层的延伸部分与支撑结构连接形成桥结构，半导体发光元件的其余部分与支撑基板无接触。

2.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的支撑结构为阵列式支撑柱或阵列式的支撑台或图形的支撑框架。

3.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（2）中制作支撑结构时，支撑结构的顶部高度高于半导体发光元件的顶部高度，步骤（4）获得的结构中，支撑结构与半导体发光元件之间仅通过释放层的延伸部分接触式连接。

4.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（1）中的释放层的延伸部分在相邻两个半导体发光元件之间未连续，并在相邻两个发光元件之间暴露部分的临时衬底，步骤（2）中的支撑结构底部至少部分被制作在相邻两个发光元件之间暴露的临时衬底上。

5.根据权利要求4所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（2）中制作支撑结构时，步骤（2）中形成的支撑结构底部全部支撑在暴露的衬底上，支撑结构仅侧壁与释放层的延伸部分的边缘形成接触式连接。

6.根据权利要求4所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（2）中制作支撑结构时，支撑结构底部边缘部分覆盖有释放层的延伸部分。

7.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，释放层的延伸部分在相邻两个发光元件之间连续未断开，步骤（2）中在相邻两个发光元件之间支撑结构的至少部分覆盖释放层的延伸部分之上。

8.根据权利要求1或7所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的释放层的延伸部分在半导体发光元件的一侧具有宽度小于半导体发光元件同一侧的宽度。

9.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的步骤（2）形成的支撑结构为金属、金属合金、固化树脂。

10.根据权利要求9所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的树脂为光敏树脂。

11.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的半导体发光元件的水平宽度尺寸100μm以下。

12.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的步骤（2）中形成的支撑结构与半导体发光元件除延伸部分以外的其它部分无接触。

13.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的步骤（3）中所述的支撑基板通过粘接层支撑在支撑结构的上方。

14.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的半导体发光元件无绝缘或导电性的永久衬底。