[发明专利]一种面向第三代半导体材料的加工装置

说明书

本发明涉及第三代半导体材料技术领域，尤其涉及一种面向第三代半导体材料的加工装置，针对现有技术一体化程度低，转换速度慢等的问题，先提出如下解决方案，包括包括加工台，所述加工台内设有腐蚀室、清洗室以及烘干室，所述加工台的底部内设有安装腔，所述安装腔内设有转动机构，所述加工台上设有与转动机构连接的转盘，所述转盘的部分延伸至腐蚀室、清洗室以及烘干室内，所述转盘的上端周向等间距设有多个放置槽，其中三个所述放置槽分别位于腐蚀室、清洗室以及烘干室内，所述腐蚀室的内顶部安装有腐蚀机构。本发明结构合理，将腐蚀清洗、冲洗、烘干融为一体，一体化程度高，能够持续的进行上料加工。

技术领域

本发明涉及第三代半导体材料技术领域，尤其涉及一种面向第三代半导体材料的加工装置。

背景技术

随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下依然坚挺，第一、二代半导体材料便无能为力，于是第三代半导体材料——宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev)成为被关注的重点，主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAS)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)，较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。

目前第三代半导体在加工过程中需要进行腐蚀清洗，通过化学溶液于被腐蚀物之间的化学反应，去除表面的原子，一般需要经过腐蚀清洗、冲洗、烘干等步骤，目前加工需要一步步的进行，一体化程度低，各步骤间转换速度慢，降低了生产效率。

所以急需一种能够一体化程度高，转换速度快的加工装置。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种面向第三代半导体材料的加工装置，其将腐蚀清洗、冲洗、烘干融为一体，一体化程度高，能够持续的进行上料加工。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种面向第三代半导体材料的加工装置，包括加工台，所述加工台内设有腐蚀室、清洗室以及烘干室，所述加工台的底部内设有安装腔，所述安装腔内设有转动机构，所述加工台上设有与转动机构连接的转盘，所述转盘的部分延伸至腐蚀室、清洗室以及烘干室内，所述转盘的上端周向等间距设有多个放置槽，其中三个所述放置槽分别位于腐蚀室、清洗室以及烘干室内，所述腐蚀室的内顶部安装有腐蚀机构，所述清洗室的内顶部安装有清洗机构，所述烘干室的内顶部安装有烘干机构，多个所述放置槽的下方设有装置腔，所述装置腔内设有升降机构，所述放置槽内设有与升降机构连接的放置板，所述放置板的外壁设有与放置槽内壁接触的密封圈，所述转盘的侧壁设有与放置槽连通的排液口，所述转盘的上端设有安装槽，所述安装槽内设有与升降机构配合的驱动机构，所述腐蚀室、清洗室以及烘干室的内底部均设有排液管，所述排液管内安装有阀门。

优选地，所述腐蚀机构包括固定在加工台底部侧壁上的储液罐，所述加工台的上端安装有液泵，所述液泵的输入端连接有吸液管，所述吸液管延伸至储液罐内，所述液泵的输出端连接有出液管，所述出液管的下端延伸至腐蚀室内。

优选地，所述清洗机构包括固定在加工台底部侧壁上的储水箱，所述加工台的上端安装有水泵，所述水泵的输入端连接有吸水管，所述吸水管延伸至储水箱内，所述水泵的输出端连接有出水管，所述出水管的下端延伸至清洗室内并安装有花洒。

优选地，所述烘干机构包括安装在加工台上端的热风机，所述热风机的出风端连接有出风管，所述出风管的末端延伸至烘干室内并安装有出风罩。

优选地，所述转动机构包括安装在加工台上端的第一驱动电机，所述第一驱动电机的输出轴末端延伸至安装腔内并固定连接有第一齿轮，所述安装腔内转动连接有转杆，所述转杆的外侧壁固定连接有第二齿轮，所述第一齿轮与第二齿轮相互啮合，所述转杆的上端贯穿安装腔的内顶部并与转盘的底部固定连接。