[发明专利]一种太阳能电池组件、生产方法

说明书

本发明提供了一种太阳能电池组件及其生产方法，涉及太阳能光伏技术领域。所述太阳能电池组件，包括：若干个p型晶体硅太阳能电池以及若干用于连接相邻所述p型晶体硅太阳能电池的导线组；所述导线组包括平行设置的预设数量的导线；所述预设数量为4‑30；所述导线包括基线；所述导线还包括至少包裹于所述基线表面的热熔导电层；所述热熔导电层包括用于热压连接或粘性连接一p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极的第一热熔导电层、以及用于热压连接或粘性连接另一相邻p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极的第二热熔导电层；所述导线的宽度大于等于50微米小于等于1000微米。本申请减少了组装损失，减少了电流的传输损失，且光电转换效率高。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池组件、一种太阳能电池组件生产方法。

背景技术

太阳能电池组件的作用是将太阳能转化为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。

目前，太阳能电池组件的结构主要为：通过焊带将多个单个太阳能电池焊接成电池串，然后封装成可以对外输出功率的电池组件。

上述通过焊带焊接形成的太阳能电池组件，组装损失大。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池组件、一种太阳能电池组件生产方法，旨在解决太阳能电池组件，组装损失大的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种太阳能电池组件，包括：若干个p型晶体硅太阳能电池以及若干用于连接相邻所述p型晶体硅太阳能电池的导线组；

所述p型晶体硅太阳能电池包括：

p型晶体硅基底；

局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；

正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；

正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反层并与所述局域p++型掺杂区接触；

n型掺杂硅膜层，形成于所述P型晶体硅基底的背面；

背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；

以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；

所述导线组包括平行设置的预设数量的导线；所述预设数量为4-30；

所述导线包括基线；所述基线包括位于所述基线一端的第一连接段、位于所述基线另一端的第二连接段、以及位于所述第一连接段与所述第二连接段之间的中间段；所述导线还包括至少包裹于所述基线表面的热熔导电层；所述热熔导电层包括用于热压连接或粘性连接一所述p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极的第一热熔导电层、以及用于热压连接或粘性连接另一相邻所述p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极的第二热熔导电层；所述第一热熔导电层包裹于所述第一连接段的表面；所述第二热熔导电层包裹于所述第二连接段的表面；所述导线的宽度大于等于50微米小于等于1000微米。

可选的，所述导线的截面形状为圆形、矩形或梯形中的至少一种；所述预设数量为10-18。

可选的，所述基线的材料为铜或铝中的至少一种。

可选的，所述热熔导电层为熔点为70-180℃之间的金属单质或金属合金。

可选的，所述热熔导电层为银、铋、镉、镓、铟、铅、锡、钛、锌中的至少一种。

可选的，所述热熔导电层为软化温度在90-120℃之间的导电树脂。