[发明专利]一种聚合物表面沉积镁的方法

权利要求书

1.一种聚合物表面沉积镁的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S110，对聚合物进行表面高低压交替溅射清洗；离子源为阳极层离子源，功率为0-3KW，束流为0-5A；第一阶段0-600V，束流2-5A，处理30min，紧接着1200-1800V，束流0-1A，处理40min；

S120，随后，耦合蒸发法和圆柱靶技术在表面混合沉积金属镁和聚合物膜；圆柱镁靶起弧电流0-90A，起弧真空度在1×10^-3-3×10^-3Pa，聚合物与镁为共沉积，聚合物蒸发沉积速率与镁沉积速率比不小于2；

S130，随后，基于圆柱镁靶在聚合物表面沉积金属镁膜，起弧电流0-90A，起弧真空度在1×10^-3-3×10^-3Pa，镁层的厚度在0-1μm；

S140，随后，基于蒸发法在表面沉积超薄聚合物保护膜层，厚度为50-100nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，阳极层离子源处理幅宽尺寸为不小于800mm，处理时聚合物温升不大于50℃，处理后聚合物表面粗糙度增加10-30nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，圆柱靶的有效宽度不小于800mm，工作时阴极表面温升不大于30℃，基体表面温升不大于60℃，阴极寿命大于100h。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，阳极层离子源处理后为金属镁和聚合物共沉积，沉积时工件自转，速度不小于15r/min，共沉积层厚度不小于50nm，镁掺杂浓度5-15％,其电阻率不高于1×10⁵Ω·m。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，超薄保护膜层沉积过程中基体表面温度不超过50℃，沉积速率小于10nm/min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在超薄聚合物膜层保护下镀膜样片在温度为80℃，湿度为80％环境下内层镁表面氧化层厚度不大于10nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积设备设置了两组阳极层离子源、两组蒸发装置以及两组圆柱弧靶，蒸发装置和圆柱弧靶夹角30°-60°，两气体离子源夹角不小于80°。