[发明专利]一种储氢材料的制备方法有效
申请号: | 201910548726.1 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN112126927B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 廖斌;欧阳晓平;罗军 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C14/18;C23C14/32;C23C14/48;C23C14/58;C23C18/12 |
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地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 材料 制备 方法 | ||
1.一种储氢材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1S:对多孔铜网进行超声波清洗;
2S:对多孔铜网进行贵金属离子注入;
3S:氧气氛围下高温制备氧化铜纳米线;
4S:溶胶凝胶法氧化钛包裹的氧化铜纳米线;
5S:利用磁过滤技术对纳米线进行镁沉积;
所述多孔铜网厚度0-2mm,铜网的目数为600-1200目;
所述步骤2S金属离子源离子束流0.2-1mA,脉宽为20-200μs,注入金属为Ag,Au,Pt,注入能量0-4keV ,剂量为1×1015-1×1016/cm2;
所述步骤3S中真空设备高温氧化时温度为400-750℃,真空室内气体为氧气,压强为0.1-50Pa,制备氧化铜纳米线的长度30-100μm,密度为10-50/μm2;
所述步骤4S中通过溶胶凝胶法制备包裹的二氧化钛膜,溶液包括钛酸四丁脂、无水乙醇、硝酸、冰醋酸,包裹膜层厚度0-1μm;
所述步骤5S中进行磁过滤所述镁沉积时,设置起弧电流为40~80A,氧气流量为0-100sccm,真空度2×10-3-6×10-3Pa,沉积时间1~3min,沉积厚度不超过5nm,同时对多孔铜网施加高功率脉冲偏压复合直流偏压;设置所述高功率脉冲偏压的电压为1~5kV,脉冲宽度为1~5μs,脉冲频率为1~200Hz,占空比1/10000~1/5000,峰值功率为1~5MW;设置所述直流偏压的电压为1~1000V,占空比1~80%。
2.如权利要求1所述一种储氢材料的制备方法,其特征为制备的吸氢材料具有自清洁性能、放氢温度低至60-75℃。
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