[发明专利]一种基于IGZO TFT的D触发器电路

说明书

为了解决现有技术中D触发器晶体管数量多、面积大、功耗高的问题，本发明提供一种基于IGZO TFT的D触发器电路，包括两个结构相同的纯N型D锁存器，其技术方案在于：上述两个纯N型D锁存器通过有比结构连接。本发明通过两个D锁存器利用有比电路连接而成，其中有比电路通过上拉和下拉网络晶体管宽长比的不同所呈现电阻的不同来决定输出电压，电路的输出是上拉和下拉管分压的结果，与宽长比的比例有关，所以只要比例合适，可以使用宽长比较小的晶体管来降低整体面积。本发明具有结构简单，晶体管数量少、面积小、功耗低的优点。

技术领域

本发明涉及触发器领域，特别涉及一种全N型IGZO TFT的D触发器电路。

背景技术

TFT(Thin-film transistor)即薄膜晶体管，是一种绝缘栅场效应晶体管。与传统晶体管相比，它最大的特点就是可以在玻璃和塑料等基板上制造与集成，而不再受限于传统的硅板。与传统CMOS相比，TFT集成度更高，形状更灵活，且因为衬底为玻璃或塑料，制造成本较低。

近年来，随着柔性电子技术的发展以及电子器件对于可弯折、高集成度的要求，TFT的应用不再局限于显示屏，而是期望可以重新构造电路系统中的每一个模块。然而，TFT相对于CMOS较低的电子迁移率使得其组成的电路性能并不理想。

IGZO(indium gallium zinc oxide铟镓锌氧化物)TFT与传统的a-Si(非晶硅)TFT相比，电子迁移率大大提高，具有良好的移动性、可靠性，大面积制造时的器件均匀性以及大规模生产的低成本。因此，IGZO TFT是最有希望构建电路系统的新型器件。

由于TFT电路只有N型管，现已提出的用IGZO TFT搭建的D触发器多基于伪cmos结构，存在晶体管数量多、面积大、功耗高等缺点。

发明内容

为了解决现有技术中D触发器晶体管数量多、面积大、功耗高的问题，本发明提供一种基于IGZO TFT的D触发器电路。

本发明为了解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种基于IGZO TFT的D触发器电路，包括两个结构相同的纯N型D锁存器，其技术方案在于：上述两个纯N型D锁存器通过有比结构连接。

本发明的有益效果是：本发明通过两个D锁存器利用有比电路连接而成，其中有比电路通过上拉和下拉网络晶体管宽长比的不同所呈现电阻的不同来决定输出电压，电路的输出是上拉和下拉管分压的结果，与宽长比的比例有关，所以只要比例合适，可以使用宽长比较小的晶体管来降低整体面积。本发明具有结构简单，晶体管数量少、面积小、功耗低的优点。

附图说明

图1为本发明结构示意图。

其中，图1(a)为本发明电路的一部分。

其中，图1(b)为本发明电路的另一部分。

图2为图1的时序图。

需要明确的是：图1a与图1b组合后形成图1。

具体实施方式

下面结合附图对本申请进行进一步的说明。

如图1所示，一种基于IGZO TFT的D触发器电路，包括两个结构相同的纯N型D锁存器，其技术方案在于：上述两个纯N型D锁存器通过有比结构连接。

具体实施例1：本发明包括第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4、第五场效应管M5、第六场效应管M6、第七场效应管M7、第八场效应管M8、第九场效应管M9、第十场效应管M10、第十一场效应管M11、第十二场效应管M12、第十三场效应管M13、第十四场效应管M14、第十五场效应管M15、第十六场效应管M16、第十七场效应管M17、第十八场效应管M18、第十九场效应管M19、第二十场效应管M20以及第一反相器Inv1、第二反相器Inv2；