[发明专利]液晶装置在审
| 申请号： | 201910543551.5 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112114451A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 曾宇志;蔡国顺;叶传铭;赖柜宏;高克毅 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 装置 | ||
1.一种液晶装置，其特征在于，所述液晶装置包括：
一第一高分子基板；
一第一缓冲层，设置在所述第一高分子基板上，所述第一缓冲层的一材料选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅组成的群组；
多个薄膜晶体管，设置在所述第一缓冲层上；
一液晶层，设置在所述多个薄膜晶体管上；以及
一第二高分子基板，设置在所述液晶层上。
2.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，所述第一缓冲层的一厚度对所述第一高分子基板的一厚度的一比值大于0.001并小于或等于1。
3.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，所述第一高分子基板的所述厚度大于或等于5微米并小于或等于45微米。
4.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，所述第一高分子基板的所述厚度大于或等于6微米并小于或等于20微米。
5.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，更包括一第二缓冲层，位于所述第一缓冲层与所述多个薄膜晶体管之间，其中所述第二缓冲层的一材料选自由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、与高分子组成的群组。
6.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，所述第一缓冲层的所述材料不同于所述第二缓冲层的所述材料。
7.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的一总厚度对所述第一高分子基板的一厚度的一比值大于0并小于或等于1。
8.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，所述第二缓冲层包括一高分子膜，且所述高分子膜的一厚度大于或等于6微米并小于或等于10微米。
9.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，更包括一第三缓冲层，位于所述第二缓冲层与所述多个薄膜晶体管之间，其中所述第三缓冲层的一材料相同于所述第一缓冲层的所述材料。
10.如权利要求9所述的液晶装置，其特征在于，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层与所述第三缓冲层的一总厚度对所述第一高分子基板的一厚度的一比值大于0并小于或等于1。
11.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，更包括一第四缓冲层，位于所述第二高分子基板上，所述第四缓冲层的一材料选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅组成的群组。
12.如权利要求11所述的液晶装置，其特征在于，所述第二高分子基板在所述多个薄膜晶体管上，且所述第二高分子基板的一厚度与所述第一高分子基板的一厚度相同。
13.如权利要求11所述的液晶装置，其特征在于，所述第二高分子基板的一厚度不同于所述第一高分子基板的一厚度，且所述第四缓冲层的一厚度不同于所述第一缓冲层的一厚度。
14.如权利要求11所述的液晶装置，其特征在于，所述第一高分子基板与所述第二高分子基板间具有多个缓冲层，且所述第二高分子基板上具有单一缓冲层。
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