[发明专利]半导体封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：

封装基板；

芯片，键合于所述封装基板的上表面；

塑封材料层，位于所述封装基板和所述芯片的上表面，且将所述芯片塑封；

导热胶层，位于所述塑封材料层的上表面；

导热引线，贯穿所述塑封材料层，且两端分别与所述芯片和所述导热胶层相连接；

散热层，位于所述导热胶层的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述芯片通过键合引线键合于所述封装基板的上表面，所述键合引线和所述导热引线的材料相同。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述导热胶层包括导电银胶层。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述散热层具有非平坦表面结构。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述散热层包括金属主体层及位于所述金属主体层上的镀膜层。

6.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述半导体封装结构的制备方法包括如下步骤：

提供封装基板，将芯片键合于所述封装基板的上表面，并形成导热引线，所述导热引线一端与所述芯片相连接；

于所述封装基板、所述芯片及所述导热引线的上表面形成塑封材料层，所述塑封材料层将所述芯片及所述导热引线塑封，所述导热引线的另一端暴露于所述塑封材料的表面；

于所述塑封材料层的表面形成导热胶层，所述导热胶层与所述导热引线的另一端相连接；

于所述导热胶层的表面形成散热层。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述导热胶层包括导电银胶层。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述散热层具有非平坦表面结构。

9.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述散热层包括金属主体层及位于所述金属主体层上的镀膜层。

10.根据权利要求6至9任一项所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述芯片通过键合引线键合于所述封装基板的上表面；所述导热引线和所述键合引线在同一工艺中形成，所述导热引线自所述芯片表面延伸至与所述封装基板的表面相接合，所述导热引线的最大高度大于所述键合引线的高度且所述导热引线与所述封装基板的结合点位于所述键合引线远离所述芯片的一端；所述塑封材料层将所述芯片、所述键合引线和所述导热引线完全塑封；所述半导体封装结构的制备方法还包括在形成所述导热胶层之前对形成所述塑封材料层后得到的封装结构进行平坦化的步骤以及将所述导热引线和所述封装基板相接合的部分去除的步骤。