[发明专利]考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器

权利要求书

1.考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器，其特征在于，引入了结构型点缺陷和线缺陷，所述压力传感器包括由介质柱阵列排列构成的方形光子晶体，所述方形光子晶体包括光子晶体波导和光子晶体谐振腔，所述光子晶体波导为三分支波导，包括W1波导、W2波导和W3波导，所述光子晶体谐振腔包括腔2和腔3；所述光子晶体波导中的W1波导和W2波导构成直角形，W3波导则以礼帽形结构呈现，左侧通过礼帽边与W1波导耦合；光子晶体谐振腔是对称腔，腔2由一排两边对称介质柱包围着中间较大介质柱，腔3由礼帽右斜边波导的左右斜边上四个介质柱、位置为完整结构的晶格格点位置形成；砷化镓材料作为介质柱，W1波导为输入波导，W2波导和W3波导为输出波导，通过监控器检测电磁波透射情况，根据检测到的谐振波长变化与压力的线性关系检测所施加的压力值。

2.根据权利要求1所述的考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器，其特征在于，所述方形光子晶体由31*21简立方晶格介质柱阵列排列于空气中构成。

3.根据权利要求2所述的考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器，其特征在于，所述简立方晶格介质柱阵列的介质柱为圆柱。

4.根据权利要求2所述的考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器，其特征在于，所述简立方晶格介质柱阵列的介质柱半径r＝0.207a，a为光子晶体的晶格常数。

5.根据权利要求1所述的考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器，其特征在于，所述光子晶体波导的波导宽度为2a，长度为n*a，其中，n为不小于4的整数，a为光子晶体的晶格常数。

6.根据权利要求1所述的考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器，其特征在于，所述光子晶体波导的输入端口和两个输出端口分别位于方形光子晶体的三个外围端面上。

7.根据权利要求1所述的考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器，其特征在于，所述光子晶体谐振腔中腔2的内介质柱半径r1＝2.2r，对称介质柱半径r2＝0.606r，腔3的介质柱半径为r。