[发明专利]NAND存储器的字线制作方法及包括其制作的字线的NAND存储器

说明书

本发明涉及NAND存储器的字线制作方法，涉及半导体集成电路的制作方法，在NAND存储器的字线制作过程中通过在字线边缘邻近选择管的核心层或侧墙处增加牺牲图形，使得实际字线图形并没有处于图形的最边缘，因此边缘字线图形的图像密度和中间字线图形的图像密度更加接近，在核心层刻蚀和侧墙刻蚀时，边缘字线的形貌和尺寸也就和中间区域更接近，使得最后刻蚀出来的字线均一性得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路的制作方法，尤其涉及一种NAND存储器的字线制作方法及包括其制作的字线的NAND存储器。

背景技术

在半导体集成电路中，NAND存储器作为一种非易失性存储器，由于其大容量，擦写速度快，低成本等优点，适用于数据存储，广泛应用于消费，汽车，工业电子等领域。

请参阅图1，图1为NAND存储器的架构示意图，如图1所示，NAND存储器阵列通常由多个块组成，每个块包含若干根字线以及选择管，选择管位于每个块的两端，且邻近于字线。随着技术的发展，字线的尺寸不断微缩，以满足存储容量日益增长的需求。当字线尺寸存微缩至40nm以下时，通常采用双重曝光技术制作字线，因此字线和选择管分别采用两块掩模版制作。

具体的，请参阅图2，图2为现有技术的NAND存储器的制造过程示意图，如图2所示，现有技术的NAND存储器的制造过程：S1，在待刻蚀层上沉积一层核心层，采用字线掩模版曝光显影，其中字线掩模版的尺寸为实际字线尺寸的2倍；S2，核心层刻蚀，去除剩余光刻胶；S3，通过微缩工艺将核心层尺寸进行微缩；S4，沉积侧墙，然后进行侧墙刻蚀；S5，核心层去除；S6，选择管掩模曝光显影，选择管以光刻胶作为掩模，字线以侧墙为掩模，同时刻蚀待刻蚀层，最终形成字线和选择管，可参阅图1所示的字线和选择管。在步骤S2到步骤S5的过程中，由于字线边缘邻近选择管的核心层或侧墙的图像密度小于字线中间区域，导致刻蚀后边缘的牺牲层和侧墙的形貌以及尺寸和中间有差异，最终导致字线的新貌和尺寸不一致，影响到了存储单元特性的均一性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种NAND存储器的字线制作方法，以提高刻蚀出来的字线均一性。

本发明提供的NAND存储器的字线制作方法，包括：S1：在待刻蚀层上沉积一层核心层，采用字线掩模版曝光显影，由光刻胶形成多个字线图形，多个字线图形形成字线图形区域，并在字线图形区域的两侧分别由光刻胶形成牺牲图形，并牺牲图形的宽度与字线图形的宽度相等，牺牲图形与字线图形的间距、牺牲图形之间的间距以及字线图形之间的间距相等；S2：以步骤S1中的光刻胶为掩蔽膜进行核心层刻蚀，去除剩余光刻胶，形成字线核心层图形和牺牲核心层图形；S3：通过微缩工艺将字线核心层图形和牺牲核心层图形进行微缩；S4：进行侧墙沉积工艺，然后进行侧墙刻蚀工艺使字线核心层图形和牺牲核心层图形的两侧形成字线核心层图形侧墙和牺牲核心层图形侧墙；S5：去除核心层，形成字线侧墙和牺牲侧墙；以及S6：采用选择管掩模版曝光显影，使选择管光刻胶覆盖至少部分牺牲侧墙，然后，以选择管光刻胶和侧墙为掩蔽层，同时刻蚀待刻蚀层，以形成选择管和字线。

更进一步的，步骤S1中所述牺牲图形的个数为两根。

更进一步的，步骤S1中所述核心层的材料为氧化硅、氮化硅或者多晶硅。

更进一步的，所述核心层采用低压化学气相沉积或者等离子体增强化学汽相沉积的方式沉积形成。

更进一步的，步骤S2中采用干法刻蚀工艺进行所述核心层刻蚀。

更进一步的，步骤S2中形成两根牺牲核心层图形。

更进一步的，步骤S3中采用湿法刻蚀工艺进行所述微缩工艺。

更进一步的，通过所述微缩工艺将所述字线核心层图形和所述牺牲核心层图形的宽度缩小一半。

更进一步的，步骤S4中所述侧墙的材料为氧化硅，氮化硅或者多晶硅，但与所述核心层的材料不同。