[发明专利]一种图案的制备方法及显示基板的制备方法有效
申请号: | 201910541135.1 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110224014B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 张粲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/683 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图案 制备 方法 显示 | ||
本发明实施例提供一种图案的制备方法及显示基板的制备方法,涉及显示技术领域,可以解决利用FMM蒸镀的图案的精度较低的问题。图案的制备方法包括在导热基底上形成隔热层;导热基底的热传导系数大于隔热层的热传导系数;对隔热层进行构图形成隔热图案;隔热图案包括镂空区;在隔热图案远离导热基底的一侧形成蒸镀材料层;将目标基板的待形成图案的一面朝向蒸镀材料层,并使目标基板上待形成图案的区域与隔热图案的镂空区正对;将导热基底加热至第一温度,第一温度大于或等于蒸镀材料层的蒸发温度;蒸镀材料层中位于镂空区的蒸镀材料蒸发至目标基板上待形成图案的区域,以在目标基板上待形成图案的区域形成图案。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种图案的制备方法及显示基板的制备方法。
背景技术
目前,在显示装置的制备过程中常需要利用FMM(Fine Metal Mask,精细金属掩膜板)蒸镀图案。例如,在OLED(Organic Light Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示装置的制备中需要利用FMM蒸镀红色发光图案、绿色发光图案以及蓝色发光图案。
然而,FMM只适用于制备中小尺寸显示装置中的图案,对于大尺寸显示装置,由于FMM会出现下垂,因而会导致形成的图案的精度较低。此外,对于微型显示装置以及高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)的显示装置,由于每个亚像素的尺寸非常小,而利用FMM无法蒸镀尺寸非常小的图案,因而利用FMM蒸镀微型显示装置以及高PPI的显示装置中的图案时,蒸镀的图案的精度较低,从而导致利用FMM蒸镀的图案无法达到微型显示装置以及高PPI显示装置的要求。
发明内容
本发明的实施例提供一种图案的制备方法及显示基板的制备方法,可以解决利用FMM蒸镀的图案的精度较低的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种图案的制备方法,包括:在导热基底上形成隔热层;所述导热基底的热传导系数大于所述隔热层的热传导系数;对所述隔热层进行构图形成隔热图案;所述隔热图案包括镂空区;在所述隔热图案远离所述导热基底的一侧形成蒸镀材料层;将目标基板的待形成图案的一面朝向所述蒸镀材料层,并使所述目标基板上待形成图案的区域与所述隔热图案的镂空区正对;将所述导热基底加热至第一温度,所述第一温度大于或等于所述蒸镀材料层的蒸发温度;所述蒸镀材料层中位于所述镂空区的蒸镀材料蒸发至所述目标基板上待形成图案的区域,以在所述目标基板上待形成图案的区域形成图案。
在一些实施例中,将目标基板的待形成图案的一面朝向所述蒸镀材料层,包括:将所述目标基板的待形成图案的一面朝向所述蒸镀材料层,且移动所述目标基板,使所述目标基板与所述蒸镀材料层接触。
在一些实施例中,所述导热基底的热传导系数为所述隔热层的热传导系数的20倍~100倍。
在一些实施例中,所述隔热层的厚度大于所述导热基底的厚度。
在一些实施例中,所述隔热层的厚度为20μm~50μm;和/或,所述导热基底的厚度为20μm~50μm。
在一些实施例中,所述在导热基底上形成隔热层之前,所述图案的制备方法还包括:在承载基板上形成所述导热基底;所述导热基底为导热基板或导热膜层。
在一些实施例中,在所述导热基底为导热基板的情况下,对所述隔热层进行构图形成隔热图案之后,将所述导热基底加热至第一温度之前,所述图案的制备方法还包括:去除所述承载基板。
在一些实施例中,所述导热基底的材料为银、铜、金、铝中的一种或多种。
在一些实施例中,所述隔热层的材料为二氧化硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的