[发明专利]定转子非重叠区域的BSRM麦克斯韦应力解析建模方法

权利要求书

1.一种定转子非重叠区域的BSRM麦克斯韦应力解析建模方法，其特征在于，

在BSRM定转子非重叠区域选取积分路径；

根据积分路径分别计算电磁转矩和径向悬浮力；

根据所述电磁转矩和径向悬浮力建立解析模型；

所述积分路径的选取方法包括：

定义所述BSRM定转子非重叠区域；

对所述定转子非重叠区域中的气隙区域进行划分；

根据所述气隙区域进行的划分选取积分路径；

所述BSRM定转子非重叠区域的定义包括：

定义研究的定子齿极为定子2齿，所述定子2齿的顺时针方向相邻的齿极分别为定子1齿和转子1齿，所述定子2齿的逆时针方向相邻的齿极分别为定子3齿和转子2齿；

所述转子1齿、转子2齿和定子2齿完全不重叠时对应的上述各齿极间的气隙区域为定转子非重叠区域a1；

所述非重叠区域a1的定义同样适用于BSRM其他对应齿极间的非重叠区域aj，j＝2,……,p_s/p_m，p_s为BSRM的定子齿极数，p_m为BSRM的相数；

所述定转子非重叠区域中的气隙区域的划分方法包括：

将所述非重叠区域a1中定子1齿的上沿和定子2齿的下沿包围的气隙区域定义为气隙1；

将所述非重叠区域a1中转子1齿的上沿和齿槽中线包围的气隙区域定义为气隙2；

将所述非重叠区域a1中转子2齿的下沿和齿槽中线包围的气隙区域定义为气隙3；

将所述非重叠区域a1中定子2齿的上沿和定子3齿的下沿包围的气隙区域定义为气隙4；

以气隙平均磁密对应的磁路为分界线分别将所述气隙1划分为气隙s1、气隙x1，所述气隙2划分为气隙s2、气隙x2，气隙3划分为气隙s3、气隙x3，气隙4划分为气隙s4、气隙x4；

以气隙平均磁密对应的磁路为分界线分别将所述气隙s1划分为气隙s1s、气隙s1x，所述气隙x1划分为气隙x1s、气隙x1x，所述气隙s2划分为气隙s2s、气隙s2x，所述气隙x2划分为气隙x2s、气隙x2x，所述气隙s3划分为气隙s3s、气隙s3x，所述气隙x3划分为气隙x3s、气隙x3x，所述气隙s4划分为气隙s4s、气隙s4x，所述气隙x4划分为气隙x4s、气隙x4x；

从所述转子1齿的上齿尖作线平行于定子2齿的下沿，从定子2齿的下齿尖作线平行于转子1齿的上沿，将此两线和转子1齿的上沿、定子2齿的下沿包围的气隙区域定义为主气隙1；

从转子2齿的下齿尖作线平行于定子2齿的上沿，从定子2齿的上齿尖作线平行于转子2齿的下沿，将此两线和定子2齿的上沿、转子2齿的下沿包围的气隙区域定义为主气隙2；

将所述定转子非重叠区域中除主气隙1和主气隙2外的气隙区域定义为边缘气隙；

所述非重叠区域a1中气隙1、气隙2、气隙3、气隙4、主气隙1、主气隙2、边缘气隙的划分方法同样适用于其余非重叠区域aj。

2.根据权利要求1所述的定转子非重叠区域的BSRM麦克斯韦应力解析建模方法，其特征在于，所述电磁转矩和径向悬浮力的计算方法包括：

根据积分路径分别计算转子所受电磁转矩的顺时针分量和逆时针分量，并叠加得到电磁转矩；

根据积分路径分别计算转子所受径向悬浮力的顺时针分量和逆时针分量，并叠加得到径向悬浮力。