[发明专利]等离子体发射光谱干扰校正方法

说明书

本发明属于光谱检测技术领域，特别涉及一种等离子体发射光谱干扰校正方法，根据校正光谱段20内干扰线B对应元素的其他特征谱线信息计算得到干扰线B的谱线强度，便能分解待分析光谱峰11，从而获得分析线A的谱线强度，完成光谱干扰的校正。本发明存在以下技术效果：基于等离子体发射光谱理论中同类型、同离子态各发射谱线的强度关系，能够准确地分解谱线，实现易受干扰谱线的发射强度的检出和计算，从而提高成分检测结果精度和检测元素范围，使LIBS技术的应用范围得到进一步扩展。

技术领域

本发明属于光谱检测技术领域，特别涉及一种等离子体发射光谱干扰校正方法。

背景技术

激光诱导击穿光谱(Laser-Induced Breakdown Spectroscopy，简称LIBS)技术具备检测速度块、元素种类全、无需制样的鲜明特点，被认为是最具应用前景的在线成分检测技术。该技术通过将高能量脉冲激光聚焦到检测样品表面烧蚀样品产生等离子体，进而对等离子体发射光谱进行分析以确定样品的物质成分及含量。

LIBS技术原则上可以分析任何物态的样品，然而在实际应用中，波长处于真空紫外波段的发射光波易被大气或粉尘烟气吸收、散射，无法应用于大多数生产现场的检测，因而检测的波长范围不仅受到检测仪器的限制，还受到应用环境的限制。另外，受检测仪器的检测的精度和灵敏度限制，不同元素烧蚀产生的等离子体发射光的特征谱线相近时其检测结果会相互干扰，导致LIBS技术在生产应用中无法广泛地推广应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种检测结果稳定可靠的等离子体发射光谱干扰校正方法。

为实现以上目的，本发明采用的技术方案为：

一种等离子体发射光谱干扰校正方法，包括以下步骤：

步骤1：选取含有待测元素的样品进行检测，获得样品的等离子发射光谱；

步骤2：结合步骤1获得的等离子发射光谱及标准发射光谱数据库，选取待分析光谱段，待分析光谱段内包含有分析线、干扰线相互干扰形成的待分析线，确定分析线、干扰线对应的元素种类与类型，和分析线、干扰线的谱线参数；

步骤3：在步骤1获得的等离子发射光谱中，选取包含有干扰线对应元素的其他特征谱线的校正光谱段；

步骤4：通过光谱寻峰和拟合得到待分析线的谱线强度和干扰线对应元素位于校正光谱段内的谱线强度；

步骤5：依据等离子体发射光谱理论，利用同类型、同离子态各发射谱线的强度关系，根据步骤4获得的干扰线对应元素位于校正光谱段内的特征谱线强度，计算得到干扰线的谱线强度。

步骤6：结合步骤4获得的待分析线的谱线强度及步骤5获得的干扰线的谱线强度，采用多峰拟合求差或直接求差的方式得出分析线的谱线强度，完成光谱干扰的校正。

与现有技术相比，本发明存在以下技术效果：基于等离子体发射光谱理论中同类型、同离子态各发射谱线的强度关系，能够准确地分解谱线，实现易受干扰谱线的发射强度的检出和计算，从而提高成分检测结果精度和检测元素范围，使LIBS技术的应用范围得到进一步扩展。

附图说明

图1是本发明的流程示意图；

图2是实施例一获得的等离子发射光谱；

图3是图2经光谱寻峰和拟合运算得到的光谱图；

图4是实施例一校正前的检测结果与定标模型对比示意图；

图5是实施例一校正后的检测结果与定标模型对比示意图。

具体实施方式

下面结合附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细说明。